| 第1章 绪论 | 第1-16页 |
| 1．1 半导体激光器 | 第8-10页 |
| 1．2 940nm应变量子阱激光器 | 第10-14页 |
| 1．2．1 940nm应变量子阱激光器的应用前景 | 第10-11页 |
| 1．2．2 940nm应变量子阱激光器的发展及现状 | 第11-13页 |
| 1．2．3 940nm应变量子阱激光器的关键技术 | 第13-14页 |
| 1．3 本论文的主要工作及结果 | 第14-16页 |
| 第2章 理论分析 | 第16-38页 |
| 2．1 能带结构、品格失配、应变及临界厚度 | 第16-21页 |
| 2．2 940nm激光器的工作波长 | 第21-23页 |
| 2．3 InGaAs／GaAs量子阱的阈值特性 | 第23-27页 |
| 2．4 量子阱激光器的输出特性 | 第27-30页 |
| 2．5 波导结构的转移矩阵分析 | 第30-34页 |
| 2．6 远场发散角近似公式的优化 | 第34-38页 |
| 第3章 激光器的器件设计 | 第38-55页 |
| 3．1 波导结构设计 | 第38-42页 |
| 3．2 缓冲层的设计 | 第42页 |
| 3．3 限制层的设计 | 第42-45页 |
| 3．3．1 组分设计 | 第42-43页 |
| 3．3．2 厚度设计 | 第43-45页 |
| 3．4 腔面镀膜设计 | 第45-48页 |
| 3．5 COD高阈值功率 | 第48-51页 |
| 3．6 高质量光束应变量子阱激光器结构的设计 | 第51-55页 |
| 第4章 940nm激光器的分子束外延生长 | 第55-69页 |
| 4．1 分子束外延(MBE)技术概述 | 第55-59页 |
| 4．2 分子束外延生长原理 | 第59-62页 |
| 4．3 分子束外延工艺简介 | 第62-64页 |
| 4．4 影响外延生长质量的因素 | 第64-69页 |
| 第5章 可靠性研究 | 第69-78页 |
| 5．1 940nm应变量子阱激光器失效及退化机理 | 第69-72页 |
| 5．2 提高半导体激光器可靠性的方法 | 第72-74页 |
| 5．3 半导体激光器退化实验分析 | 第74-78页 |
| 第6章 940nm波长应变量子阱激光器的研制及测试 | 第78-91页 |
| 6．1 940nm波长InGaAs应变量子阱激光器的研制 | 第78-80页 |
| 6．2 高功率量子阱激光器材料的特性分析研究 | 第80-87页 |
| 6．2．1 X射线双晶体衍射测量 | 第81-83页 |
| 6．2．2 场发射扫描电子显微镜(SEM) | 第83页 |
| 6．2．3 光致荧光谱(PL) | 第83-85页 |
| 6．2．4 电化学C—V测试 | 第85-86页 |
| 6．2．5 电致发光谱(EL) | 第86-87页 |
| 6．3 激光器的工艺制作与器件特性 | 第87-91页 |
| 6．3．1 工艺制作简介 | 第87-88页 |
| 6．3．2 器件特性测试 | 第88-91页 |
| 结论 | 第91-93页 |
| 致谢 | 第93-94页 |
| 参考文献 | 第94-102页 |
| 攻读硕士期间发表的文章 | 第102页 |
