| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-28页 |
| ·引言 | 第10-12页 |
| ·电介质及其极化 | 第12-14页 |
| ·介电薄膜的应用背景 | 第14-15页 |
| ·SiO2 栅介质减薄带来的问题 | 第15-17页 |
| ·高 k 栅介质材料的选择 | 第17-20页 |
| ·钙钛矿相栅介质氧化物研究现状 | 第17-19页 |
| ·单元系金属氧化物栅介质研究现状 | 第19-20页 |
| ·Ta2O5 高介电材料 | 第20-26页 |
| ·Ta2O5 高介电薄膜的研究现状 | 第20-22页 |
| ·Ta2O5薄膜的结构、特性与应用前景 | 第22-23页 |
| ·Ta2O5 介电薄膜的主要制备技术及其进展 | 第23-26页 |
| ·Ta2O5 薄膜的物理制备技术 | 第23-24页 |
| ·Ta2O5 薄膜的化学制备技术 | 第24-26页 |
| ·Ta2O5 薄膜在器件应用中存在的主要问题 | 第26页 |
| ·本论文目的及主要内容 | 第26-28页 |
| 第2章 介电薄膜的反应溅射沉积工艺、影响机理及表征方法 | 第28-50页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·反应溅射概述 | 第28-33页 |
| ·反应溅射的基本原理 | 第29-30页 |
| ·反应溅射中溅射率的影响因素 | 第30-33页 |
| ·反应溅射沉积介电薄膜的生长过程及影响因素 | 第33-44页 |
| ·反应溅射沉积薄膜的生长过程 | 第33页 |
| ·工艺条件对反应溅射沉积薄膜的影响机理 | 第33-44页 |
| ·工作气压对制备介电薄膜生长速率的影响 | 第34-35页 |
| ·衬底温度对沉积介电薄膜形核能的影响 | 第35-38页 |
| ·工作气体中加入水对介电薄膜晶化温度的影响 | 第38-39页 |
| ·衬底负偏压对沉积介电薄膜生长的影响 | 第39-44页 |
| ·高介电 Ta2O5薄膜的制备 | 第44-46页 |
| ·Ta2O5 薄膜的表征方法 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第3章 反应溅射低温制备晶态Ta2O5介电薄膜 | 第50-68页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·反应溅射沉积的 Ta2O5介电薄膜结构成分分析 | 第50-66页 |
| ·Ta2O5 薄膜的 FTIR 振动模式及 XRD 峰位 | 第51-52页 |
| ·工作气压对制备 Ta2O5薄膜生长的影响 | 第52-57页 |
| ·工作气体相对湿度对 Ta2O5薄膜晶化温度的影响 | 第57-59页 |
| ·衬底负偏压对 Ta2O5薄膜晶化温度的影响 | 第59-66页 |
| ·本章小节 | 第66-68页 |
| 第4章 取向Ta2O5的制备及其介电性能研究 | 第68-84页 |
| ·引言 | 第68-69页 |
| ·取向 Ta2O5薄膜的制备 | 第69-72页 |
| ·衬底负偏压对 Ta2O5 薄膜取向生长的影响 | 第72-73页 |
| ·Ta2O5 薄膜的取向生长模型 | 第73-75页 |
| ·取向 Ta2O5薄膜 MOS 结构电学性能研究 | 第75-81页 |
| ·介电特性 | 第75-76页 |
| ·I-V 特性 | 第76-78页 |
| ·C-V 特性 | 第78-79页 |
| ·衬底负偏压对取向 Ta2O5薄膜 C-V 特性的影响 | 第79-81页 |
| ·本章小节 | 第81-84页 |
| 第5章 Ta2O5 薄膜/Si 基底界面层研究 | 第84-98页 |
| ·引言 | 第84页 |
| ·Ta2O5 薄膜/Si 界面层的研究现状 | 第84-86页 |
| ·结果与讨论 | 第86-96页 |
| ·衬底温度对 Ta2O5 薄膜/Si 界面层的影响 | 第86-89页 |
| ·衬底负偏压对 Ta2O5 薄膜/Si 界面层的影响 | 第89-92页 |
| ·Ta2O5 薄膜/Si 界面扩散过程动态分析 | 第92-96页 |
| ·本章小节 | 第96-98页 |
| 总结及展望 | 第98-102页 |
| 参考文献 | 第102-112页 |
| 攻读博士学位期间所发表的学术论文 | 第112-115页 |
| 致谢 | 第115页 |
