Al-Mg-Si合金的电子理论研究
| 摘要 | 第1-9页 |
| 英文摘要 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| ·概述 | 第11页 |
| ·Al-Mg-Si合金相图 | 第11-12页 |
| ·合金中的相 | 第12-15页 |
| ·α-Al相 | 第12页 |
| ·GP区与β′、β相 | 第12-15页 |
| ·β-Si相 | 第15页 |
| ·影响合金性能的因素 | 第15-17页 |
| ·Mg_2Si含量对合金性能的影响 | 第15-16页 |
| ·Si含量对合金性能的影响 | 第16-17页 |
| ·本项目研究的意义 | 第17-19页 |
| ·以往研究存在的问题 | 第17页 |
| ·研究的意义和优势 | 第17-19页 |
| 第二章 固体与分子经验电子理论介绍 | 第19-31页 |
| ·引言 | 第19页 |
| ·基本概念 | 第19-21页 |
| ·EET理论的几个基本假设 | 第21-25页 |
| ·关于分子和固体中原子状态的假定 | 第21-22页 |
| ·关于不连续状态杂化的假定 | 第22-24页 |
| ·关于键距的假定 | 第24页 |
| ·关于等效价电子的假定 | 第24-25页 |
| ·键距差(BLD)法 | 第25-28页 |
| ·BLD法的基本思想 | 第25-26页 |
| ·BLD法 | 第26-28页 |
| ·程氏理论(TFD理论) | 第28-30页 |
| ·理论的可行性 | 第30-31页 |
| 第三章 Al-Mg-Si合金相空间电子结构及计算 | 第31-42页 |
| ·α-Al相空间的电子结构 | 第31-33页 |
| ·α-Al晶胞的等同键数I_α | 第31-32页 |
| ·键距方程与r_(α′)方程 | 第32页 |
| ·n_A方程 | 第32页 |
| ·α-Al晶胞的理论间距与间距差 | 第32-33页 |
| ·Mg相空间的电子结构 | 第33-35页 |
| ·Mg晶胞的等同键数I_α | 第33页 |
| ·键距方程与r_(α′)方程 | 第33-34页 |
| ·n_A方程 | 第34页 |
| ·Mg晶胞的理论间距与间距差 | 第34-35页 |
| ·β-Si相空间的电子结构 | 第35-37页 |
| ·Si晶胞的等同键数I_α | 第36页 |
| ·键距方程与r_(α′)方程 | 第36页 |
| ·n_A方程 | 第36-37页 |
| ·Si晶胞的理论间距与间距差 | 第37页 |
| ·Mg_2Si相空间的电子结构 | 第37-42页 |
| ·Mg_2Si晶胞的等同键数I_α | 第38页 |
| ·键距方程与r_(α′)方程 | 第38-39页 |
| ·n_A方程 | 第39页 |
| ·Mg_2Si晶胞的理论间距与间距差 | 第39-42页 |
| 第四章 异相界面电子结构的计算 | 第42-50页 |
| ·α-Al与β(Mg_2Si)相界面的价电子结构 | 第42-47页 |
| ·α-Al的(001)晶面 | 第43页 |
| ·β(Mg_2Si)晶胞的(001)晶面 | 第43-45页 |
| ·α-Al／β(Mg_2Si)界面的电子结构 | 第45-47页 |
| ·α-Al与β-Si界面的价电子结构 | 第47-48页 |
| ·α-Al晶胞的(110)晶面 | 第47-48页 |
| ·β-Si晶胞的(100)晶面 | 第48页 |
| ·α-Al／β-Si界面的电子结构 | 第48页 |
| ·分析和讨论 | 第48-50页 |
| 第五章 电子结构与合金的强化机理 | 第50-58页 |
| ·相结构因子σ_N | 第50-51页 |
| ·相结构因子n_A | 第51-52页 |
| ·相结构因子F | 第52-54页 |
| ·相结构形成因子S | 第54-56页 |
| ·界面结合因子 | 第56-58页 |
| 第六章 总结 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 附录一 杂化表的建造过程 | 第63-64页 |
| 附录二 原子状态杂化表 | 第64-66页 |
| 附录三 部分元素的屏蔽作用系数b值 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第68页 |
