| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-13页 |
| 目录 | 第13-16页 |
| 第一章 引言 | 第16-25页 |
| ·工作背景 | 第16-23页 |
| ·本文工作及安排 | 第23-25页 |
| 第二章 预备知识综述 | 第25-37页 |
| ·薄膜的生长机制 | 第25页 |
| ·薄膜的沉积方法 | 第25-28页 |
| ·薄膜的MBE沉积 | 第26-27页 |
| ·薄膜的PLD沉积 | 第27页 |
| ·薄膜的MOCVD沉积 | 第27-28页 |
| ·透射电镜样品的制备 | 第28-31页 |
| ·横截面电镜样品的制备 | 第29-30页 |
| ·平面电镜样品的制备 | 第30-31页 |
| ·薄膜的物理性质 | 第31-37页 |
| ·尺寸效应 | 第31-34页 |
| ·漏电流效应 | 第34-35页 |
| ·疲劳效应 | 第35-37页 |
| 第三章 锰基钙钛矿材料La_(1-x)Ca_xMnO_3(x=3／8，1／2，2／3)相变研究 | 第37-47页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·实验过程 | 第37-38页 |
| ·实验结果 | 第38-44页 |
| ·室温x射线试验 | 第38-41页 |
| ·变温x射线试验数据 | 第41-43页 |
| ·高温x射线试验 | 第43-44页 |
| ·讨论 | 第44-46页 |
| ·总结 | 第46-47页 |
| 第四章 用PLD外延生长在SrTiO_3和NdGaO_3上的La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3薄膜微结构 | 第47-58页 |
| ·引言 | 第47-48页 |
| ·实验过程 | 第48页 |
| ·实验结果 | 第48-56页 |
| ·失配位错和剩余应力 | 第48-52页 |
| ·第二相的生成 | 第52-56页 |
| ·讨论 | 第56页 |
| ·总结 | 第56-58页 |
| 第五章 用MOCVD方法生长在Silicon上SrTiO_3的微结构 | 第58-69页 |
| ·引言 | 第58-59页 |
| ·实验过程 | 第59-60页 |
| ·实验结果 | 第60-67页 |
| ·STO薄膜 | 第60-62页 |
| ·非晶界面层的观察 | 第62-65页 |
| ·非晶界面层生长的讨论 | 第65-67页 |
| ·总结 | 第67-69页 |
| 第六章 SrTiO_3薄膜生长在Si衬底上的界面反应的纳米尺度特性 | 第69-77页 |
| ·引言 | 第69页 |
| ·实验过程 | 第69-70页 |
| ·实验结果 | 第70-75页 |
| ·讨论 | 第75-76页 |
| ·总结 | 第76-77页 |
| 第七章 用MOCVD方法生长在Silicon上HfO_2薄膜的微结构和界面属性 | 第77-86页 |
| ·引言 | 第77-78页 |
| ·实验过程 | 第78-79页 |
| ·实验结果 | 第79-83页 |
| ·HfO_2薄膜的结构 | 第79-80页 |
| ·非晶界面层 | 第80-83页 |
| ·讨论 | 第83-85页 |
| ·总结 | 第85-86页 |
| 第八章 对Ba_(0.7)Sr_(0.3)TiO_3／SrRuO_3界面处所谓“死层”的研究 | 第86-93页 |
| ·引言 | 第86页 |
| ·实验过程 | 第86-87页 |
| ·实验结果和讨论 | 第87-92页 |
| ·总结 | 第92-93页 |
| 第九章 外延双层薄膜Ba_(0.7)Sr_(0.3)TiO_3／SrRuO_3在SrTiO_3衬底上微结构和生长机制 | 第93-104页 |
| ·引言 | 第93-94页 |
| ·实验过程 | 第94页 |
| ·实验结果 | 第94-100页 |
| ·薄膜生长在600℃ | 第94-96页 |
| ·薄膜生长在680℃ | 第96-98页 |
| ·薄膜生长在800℃ | 第98-100页 |
| ·讨论 | 第100-102页 |
| ·总结 | 第102-104页 |
| 第十章 总结 | 第104-107页 |
| ·主要研究成果 | 第104-106页 |
| ·展望 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-122页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第122-124页 |
| 致谢 | 第124页 |
