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厚膜混合集成电路可靠性分析与提高

中文摘要第1-3页
英文摘要第3-2页
关键词第2-9页
第一章 绪论第9-19页
   ·可靠性问题的提出及发展现状第9-13页
   ·可靠性、可靠度及失效率的概念第13-14页
   ·HIC的应用情况及可靠性的地位第14-15页
   ·HIC简介及其特点第15-17页
   ·影响HIC可靠性的主要问题第17页
   ·本论文所要解决的问题第17-19页
第二章 HIC可靠性分析与提高的理论构架第19-36页
   ·可靠性工程中的分析技术第19页
   ·HIC失效分析程序第19-21页
   ·破坏性物理分析技术(DPA技术)第21-22页
   ·可靠性增长技术第22-24页
   ·HIC的失效模式和失效机理第24-26页
     ·厚膜电阻器的失效第24-25页
     ·厚膜导电带或键合的失效第25页
     ·成膜基片的失效第25-26页
     ·半导体器件的失效第26页
     ·封装的失效第26页
   ·可靠性设计技术第26-32页
     ·降额设计第27-28页
     ·HIC的热设计第28-29页
     ·裕度设计第29页
     ·电磁兼容性设计第29-32页
       ·电路设计技术第30页
       ·屏蔽设计第30-31页
       ·滤波设计第31-32页
       ·接地设计第32页
   ·静电损伤及防护措施第32-36页
     ·概述第32-33页
     ·电子元器件抗静电能力的分类第33页
     ·静电损伤的失效模式第33-34页
       ·突发性完全失效第34页
       ·潜在性失效第34页
     ·防静电放电损伤的措施第34-36页
       ·HIC静电防护设计第34-35页
       ·HIC生产中防ESD措施第35-36页
第三章 HIC可靠性分析与提高的具体实践第36-64页
   ·概述第36页
   ·HIC可靠性试验失效分析与提高第36-46页
     ·HIC用半导体器件参数退化失效分析第36-41页
       ·失效器件简况第37页
       ·失效分析步骤及结果第37-40页
       ·结果分析及结论第40页
       ·预防措施第40-41页
     ·HIC内部水汽含量超标的分析及改进措施第41-44页
     ·二次筛选失效电路的分析第44-46页
       ·分析背景第44页
       ·失效现象第44页
       ·失效分析第44-45页
       ·失效机理第45-46页
       ·结论第46页
       ·纠正措施第46页
   ·HIC在DPA中有关问题的分析与提高第46-54页
     ·DPA的作用及其方法和程序第46-47页
     ·DPA中键合强度失效分析与提高第47-54页
       ·失效模式第47页
       ·失效机理分析第47-51页
       ·失效机理证实第51-54页
       ·预防和改进措施第54页
   ·HIC研制生产过程中可靠性分析与提高第54-64页
     ·失效(或不合格)现象及原因分析第55-58页
       ·丝网印刷第55-56页
       ·激光微调第56页
       ·粘片第56-57页
       ·键合第57页
       ·平行缝焊第57页
       ·寿命试验第57-58页
     ·HIC的设计改进第58-60页
     ·元器件的质量控制第60-61页
     ·工艺控制的改进第61-62页
       ·丝网印刷的控制第61页
       ·激光微调的控制第61页
       ·粘片的控制第61-62页
       ·键合的控制第62页
       ·平行缝焊的控制第62页
     ·成效第62-64页
第四章 论文取得的成果及今后研究的方向第64-71页
   ·论文取得的成果第64-70页
     ·HIC的主要失效模式及原因第64-66页
       ·半导体集成电路芯片的失效第64-65页
       ·内部键合失效第65页
       ·外贴件粘结不良引起的失效第65页
       ·基片断裂失效第65-66页
       ·封装不良引起的失效第66页
       ·使用不当引起的失效第66页
     ·提高HIC可靠性的方法第66-70页
       ·HIC热设计的有效方法第66-67页
       ·降低HIC内部水汽含量的有效方法第67页
       ·严把来料检验关第67-68页
       ·加强在线质量控制第68页
       ·加强失效检测工作,提高批产品的可靠性水平第68-70页
   ·今后研究的方向第70-71页
结束语第71-72页
致谢第72-73页
参考文献第73-77页

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