金属表面半导体和半金属薄膜的第一性原理研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 密度泛函理论及其扩展 | 第11-41页 |
| ·密度泛函理论基本概念 | 第11-15页 |
| ·从波函数到电子密度 | 第11-12页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理:多体理论 | 第12-13页 |
| ·Kohn-Sham方程:有效单体理论 | 第13-15页 |
| ·交换相关能量泛函 | 第15-19页 |
| ·LDA和GGA | 第15-16页 |
| ·轨道泛函与非局域泛函 | 第16-17页 |
| ·自相互作用修正 | 第17-18页 |
| ·GW近似 | 第18-19页 |
| ·含时密度泛函理论 | 第19-21页 |
| ·从DFT+U到动力学平均场 | 第21-24页 |
| ·密度泛函理论的其他扩展形式 | 第24-27页 |
| ·流密度泛函理论 | 第24-25页 |
| ·相对论性密度泛函理论 | 第25页 |
| ·密度泛函微扰理论 | 第25-27页 |
| ·极化和介电常数 | 第27页 |
| ·密度泛函理论的应用 | 第27-33页 |
| 参考文献 | 第33-41页 |
| 第二章 密度泛函理论的数值计算方法 | 第41-75页 |
| ·离散方法 | 第41-46页 |
| ·基组:从量子化学到固体能带理论 | 第41-43页 |
| ·格点:有限差分和有限元 | 第43-44页 |
| ·小波方法 | 第44-46页 |
| ·线性标度计算方法 | 第46-50页 |
| ·费米算符展开和费米算符投影方法 | 第47-48页 |
| ·能量泛函最小化方法 | 第48-49页 |
| ·其他线性标度算法 | 第49-50页 |
| ·对角化以外的线性标度 | 第50页 |
| ·倒空间电子结构计算 | 第50-65页 |
| ·布里渊区的特殊k点采样 | 第51-57页 |
| ·布里渊区的积分 | 第57-65页 |
| ·常用软件包简介 | 第65-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 第三章 无机半导体过渡金属表面吸附研究 | 第75-85页 |
| ·背景介绍 | 第75页 |
| ·过渡金属表面的锗 | 第75-83页 |
| ·实验背景 | 第75页 |
| ·计算细节 | 第75-77页 |
| ·吸附能随能量的变化 | 第77-78页 |
| ·模拟STM和STS图像 | 第78-80页 |
| ·模拟和实验STM图像的比较 | 第80页 |
| ·小结 | 第80-83页 |
| 参考文献 | 第83-85页 |
| 第四章 有机半导体过渡金属表面吸附研究 | 第85-101页 |
| ·有机半导体 | 第85-87页 |
| ·过渡金属表面吸附体系 | 第87-97页 |
| ·实验研究背景 | 第87-88页 |
| ·计算方法与细节 | 第88-90页 |
| ·并四苯吸附结构 | 第90-92页 |
| ·并四苯吸附的实验结果 | 第92-93页 |
| ·并四苯吸附的电子结构 | 第93-94页 |
| ·小结 | 第94-97页 |
| 参考文献 | 第97-101页 |
| 第五章 Graphene半金属:未来电子器件材料 | 第101-117页 |
| ·什么是graphene | 第101-103页 |
| ·graphene的电子结构 | 第103-105页 |
| ·graphene在Cu表面:带隙和n型掺杂 | 第105-115页 |
| ·实验背景 | 第105-107页 |
| ·计算方法和细节 | 第107-108页 |
| ·吸附的几何结构 | 第108-110页 |
| ·吸附的电子结构 | 第110-113页 |
| ·小结 | 第113-115页 |
| 参考文献 | 第115-117页 |
| 第六章 总结和展望 | 第117-119页 |
| 发表文章目录 | 第119-121页 |
| 致谢 | 第121页 |
