| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 引言 | 第9-11页 |
| 1 ZnO和GaN的基本概述 | 第11-21页 |
| ·ZnO和GaN的晶体结构 | 第11-13页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第11-12页 |
| ·GaN的晶体结构及性质 | 第12-13页 |
| ·ZnO异质结的研究进展 | 第13-21页 |
| 2 ZnO和GaN薄膜生长技术 | 第21-30页 |
| ·ZnO的生长 | 第21-27页 |
| ·射频磁控溅射法 | 第22页 |
| ·分子束外延 | 第22-23页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第23-24页 |
| ·化学气相沉积法 | 第24-27页 |
| ·GaN的生长方法 | 第27-30页 |
| 3 ZnO/GaN异质结的制备及氮化物极化效应的分析 | 第30-36页 |
| ·n-ZnO/graded-p-Al_xGa_(1-x)N/p-GaN,n-ZnO/p-Al_(0.4)Ga_(0.6)N/p-GaN和n-ZnO/p-GaN异质结的制备 | 第30-31页 |
| ·AlGaN/GaN极化效应 | 第31-36页 |
| ·自发极化效应 | 第31-32页 |
| ·压电极化效应 | 第32-36页 |
| 4 带有不同电子阻挡层的n-ZnO/p-GaN异质结的表征和分析 | 第36-46页 |
| ·n-ZnO/graded-p-Al_xGa_(1-x)N/p-GaN,n-ZnO/p-Al_(0.4)Ga_(0.6)N/p-GaN和n-ZnO/p-GaN异质结的I-V特性分析 | 第36-37页 |
| ·极化诱导电子阻挡层的n-ZnO/p-GaN异质结的SEM分析 | 第37-38页 |
| ·极化诱导电子阻挡层的n-ZnO/p-GaN异质结的XRD分析 | 第38-39页 |
| ·n-ZnO和p-GaN的PL谱分析 | 第39-40页 |
| ·n-ZnO/graded-p-Al_xGa_(1-x)N/p-GaN,n-ZnO/p-Al_(0.4)Ga_(0.6)N/p-GaN和n-ZnO/p-GaN异质结的表面EL谱分析 | 第40-42页 |
| ·n-ZnO/graded-p-Al_xGa_(1-x)N/p-GaN和n-ZnO/p-Al_(0.4)Ga_(0.6)N/p-GaN的截面EL谱分析 | 第42-43页 |
| ·n-ZnO/graded-p-Al_xGa_(1-x)N/p-GaN和n-ZnO/p-Al_(0.4)Ga_(0.6)N/p-GaN异质结的能带分图析 | 第43-46页 |
| 结论 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
