| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-11页 |
| 目录 | 第11-13页 |
| 第一章 前言 | 第13-17页 |
| 第二章 文献综述 | 第17-43页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第17-20页 |
| ·ZnO的能带结构 | 第20-22页 |
| ·ZnO的光电性能 | 第22-28页 |
| ·ZnO的光学性能 | 第22-26页 |
| ·ZnO的电学性能 | 第26-28页 |
| ·ZnO的缺陷与掺杂 | 第28-36页 |
| ·ZnO的本征缺陷 | 第28-29页 |
| ·ZnO的非故意掺杂 | 第29-30页 |
| ·ZnO的n型掺杂 | 第30页 |
| ·ZnO的p型掺杂 | 第30-36页 |
| ·ZnO的结构形态 | 第36-38页 |
| ·ZnO体单晶 | 第36-37页 |
| ·ZnO薄膜 | 第37页 |
| ·ZnO纳米结构 | 第37-38页 |
| ·ZnO的应用 | 第38-39页 |
| ·ZnO的电极接触 | 第39-43页 |
| ·ZnO的肖特基接触 | 第40页 |
| ·ZnO的欧姆接触 | 第40-43页 |
| 第三章 实验原理、生长工艺及评价手段 | 第43-56页 |
| ·直流反应磁控溅射 | 第43-48页 |
| ·实验设备 | 第43-44页 |
| ·磁控溅射原理 | 第44-47页 |
| ·实验原料及生长工艺 | 第47-48页 |
| ·MOCVD | 第48-53页 |
| ·MOCVD原理 | 第48-50页 |
| ·实验设备 | 第50-52页 |
| ·实验原料及生长工艺 | 第52-53页 |
| ·衬底及清洗方法 | 第53-54页 |
| ·性能测试 | 第54-56页 |
| 第四章 Li-N-H共掺法制备p型ZnO薄膜 | 第56-65页 |
| ·引言 | 第56页 |
| ·Li含量对Li-N-H共掺杂p型ZnO性能的影响 | 第56-60页 |
| ·N对Li-N-H共掺杂p型ZnO性能的影响 | 第60-61页 |
| ·衬底温度对Li-N-H共掺杂p型ZnO性能的影响 | 第61-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 等离子体辅助MOCVD法生长N掺杂p型ZnO薄膜 | 第65-77页 |
| ·采用不同N掺杂源制备p型ZnO薄膜 | 第65-70页 |
| ·射频功率对N掺杂p型ZnO薄膜性能的影响 | 第70-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 第六章 非等离子体辅助生长N掺杂p型ZnO薄膜 | 第77-88页 |
| ·非等离子体辅助N掺杂p型ZnO薄膜的性能 | 第77-81页 |
| ·衬底温度对非等离子体辅助N掺杂ZnO薄膜性能的影响 | 第81-87页 |
| ·本章小结 | 第87-88页 |
| 第七章 p型ZnO薄膜的欧姆接触研究 | 第88-116页 |
| ·金属/半导体接触的类型 | 第88-90页 |
| ·欧姆接触的基本原理 | 第90-93页 |
| ·欧姆接触电阻率的测量原理和方法 | 第93-95页 |
| ·金属与p型ZnO欧姆接触的研究 | 第95-115页 |
| ·Ni/Au与p型ZnO的欧姆接触研究 | 第96-102页 |
| ·Ni/Pt与p型ZnO:N的欧姆接触研究 | 第102-107页 |
| ·Ni/Pt与p型ZnO:Li的欧姆接触研究 | 第107-115页 |
| ·本章小结 | 第115-116页 |
| 第八章 ZnO LED器件的制备 | 第116-126页 |
| ·LED原理 | 第116-119页 |
| ·ZnO LED的制备工艺 | 第119-120页 |
| ·ZnO的干法刻蚀 | 第120-123页 |
| ·等离子体刻蚀原理 | 第120-121页 |
| ·不同气体对ZnO的刻蚀 | 第121-123页 |
| ·ZnO LED的I-V特性 | 第123-125页 |
| ·本章小结 | 第125-126页 |
| 第九章 结论 | 第126-129页 |
| 参考文献 | 第129-153页 |
| 作者简历 | 第153-155页 |
