单晶生长过程直径检测与化料过程模式分类方法研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 1 绪论 | 第7-14页 |
| ·直拉式单晶炉技术概况 | 第7-11页 |
| ·单晶硅材料的应用 | 第7-8页 |
| ·直拉单晶炉简介 | 第8-10页 |
| ·直拉单晶炉发展现状 | 第10-11页 |
| ·直拉晶体的直径测量技术 | 第11-12页 |
| ·熔硅化料过程检测技术 | 第12-13页 |
| ·本课题的研究内容 | 第13-14页 |
| 2 单晶炉测径系统的硬件设计 | 第14-21页 |
| ·单晶炉测径技术发展历程 | 第14-17页 |
| ·基于Ircon直径测量技术 | 第14-15页 |
| ·基于SIMS直径扫描技术 | 第15-16页 |
| ·基于CCD摄像扫描技术 | 第16-17页 |
| ·单晶炉测径系统技术要求 | 第17页 |
| ·全自动单晶炉测径平台 | 第17-19页 |
| ·基于USB2.0协议的图像采集平台 | 第19-21页 |
| ·USB协议 | 第19页 |
| ·基于USB2.0协议的图像采集方案 | 第19-21页 |
| 3 直径检测算法实现 | 第21-33页 |
| ·晶体生长图像特点 | 第21-22页 |
| ·晶体生长图像的预处理 | 第22-26页 |
| ·常用的边缘检测算法 | 第22-23页 |
| ·光圈边缘检测算法 | 第23-26页 |
| ·晶体直径的测量方法 | 第26-33页 |
| ·基于Hough变换 | 第27-29页 |
| ·基于最小二乘法 | 第29-30页 |
| ·两种测径算法的比较 | 第30-33页 |
| 4 熔硅化料进程检测算法研究 | 第33-46页 |
| ·熔硅化料进程特点 | 第33页 |
| ·基于频域变换方式分析 | 第33-37页 |
| ·傅立叶变换 | 第34-35页 |
| ·应用 | 第35-37页 |
| ·基于统计特征方式分析 | 第37-40页 |
| ·均值、方差 | 第37页 |
| ·应用 | 第37-40页 |
| ·基于角点检测方式分析 | 第40-44页 |
| ·Harris角点检测 | 第40-41页 |
| ·SUSAN角点检测 | 第41-43页 |
| ·应用 | 第43-44页 |
| ·熔硅化料检测算法比较 | 第44-46页 |
| 5 总结与展望 | 第46-47页 |
| 6 致谢 | 第47-48页 |
| 7 参考文献 | 第48-49页 |
