| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 1 绪论 | 第7-12页 |
| ·研究目的和意义 | 第7页 |
| ·硅单晶及其制备方法直拉法的简介 | 第7-8页 |
| ·直拉硅单晶生长工艺过程 | 第8-9页 |
| ·有限元法 | 第9-10页 |
| ·有限元法在直拉硅单晶生长中的应用 | 第10页 |
| ·关于有限元法应用在硅单晶生长中的研究概况 | 第10页 |
| ·论文的主要工作 | 第10-12页 |
| 2 基于解析法的硅单晶热场的建模与分析 | 第12-20页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·硅单晶热场 | 第12-13页 |
| ·硅单晶生长过程中的热传输 | 第13页 |
| ·传热学的基本原理 | 第13-16页 |
| ·热传导偏微分方程 | 第14-15页 |
| ·初始条件和边界条件 | 第15-16页 |
| ·硅单晶热场的数学建模 | 第16-18页 |
| ·结果分析 | 第18-19页 |
| ·温度分析 | 第18页 |
| ·温度梯度分析 | 第18-19页 |
| ·解析法的不足 | 第19页 |
| ·小结 | 第19-20页 |
| 3 基于有限元法热场的数值计算 | 第20-30页 |
| ·引言 | 第20页 |
| ·迦辽金加权余量法概述 | 第20-22页 |
| ·加权余量法 | 第20-22页 |
| ·迦辽金法 | 第22页 |
| ·热场的数值计算 | 第22-28页 |
| ·控制方程和边界条件 | 第22-24页 |
| ·单元划分和热场离散化 | 第24-26页 |
| ·总体合成 | 第26-27页 |
| ·迭代求解 | 第27-28页 |
| ·总结 | 第28页 |
| ·计算机数值模拟的基本流程 | 第28-29页 |
| ·小结 | 第29-30页 |
| 4 单晶炉热场的数值模拟及分析 | 第30-39页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·单晶炉稳态热场的数值模拟及验证 | 第30-38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| 5 基于有限元数值模拟的直拉硅单晶收尾控制参数研究 | 第39-47页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·提出问题并分析 | 第39-44页 |
| ·改进 | 第44-45页 |
| ·验证 | 第45页 |
| ·小结 | 第45-47页 |
| 6 总结展望 | 第47-48页 |
| ·总结 | 第47页 |
| ·进一步的研究工作 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |