| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-15页 |
| ·等离子体理论概要 | 第7-9页 |
| ·等离子体的注入技术 | 第9-14页 |
| ·离子注入技术发展概述 | 第9-10页 |
| ·等离子体源离子注入 | 第10-13页 |
| ·直流和栅极增强型等离子体源离子注入 | 第13-14页 |
| ·本文完成的工作 | 第14-15页 |
| 第二章 等离子体源离子注入过程中鞘层演化情况的研究 | 第15-21页 |
| ·鞘层演化的基本过程概述 | 第15页 |
| ·等离子体鞘层演化的主要研究方法和基本模型 | 第15-21页 |
| ·鞘层演化的解析模拟法 | 第16-17页 |
| ·Monte Carlo 方法 | 第17-18页 |
| ·PIC(Particle in cell)方法 | 第18-21页 |
| 第三章 直流等离子体源离子注入栅网阴影效应的模型和研究 | 第21-24页 |
| ·研究模型 | 第21-22页 |
| ·计算方法 | 第22-24页 |
| 第四章 模拟的结果和相关讨论 | 第24-33页 |
| ·模拟区的电位分布 | 第24-25页 |
| ·离子的速度分布 | 第25-31页 |
| ·注入离子的通量分布 | 第31-32页 |
| ·小结 | 第32-33页 |
| 第五章 等离子体源离子注入栅网的阴影效应其他模型的研究 | 第33-40页 |
| ·模型及模拟过程 | 第33-34页 |
| ·模拟结果和讨论 | 第34-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| 第六章 结论 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-44页 |
| 致谢 | 第44页 |
