| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| ·导电阻挡层在存储器中的重要性 | 第9-10页 |
| ·铁电材料与铁电存储器 | 第10-13页 |
| ·铁电材料与集成铁电学 | 第10-12页 |
| ·铁电存储器的研究现状 | 第12-13页 |
| ·铁电存储器中的导电阻挡层 | 第13-15页 |
| ·本论文的主要内容和意义 | 第15-17页 |
| 第2章 厚度对多晶Ni–Al 导电阻挡层的结构和性能的影响 | 第17-32页 |
| ·薄膜的基本制备方法 | 第17-20页 |
| ·磁控溅射法（Magnetron Supptering） | 第17-19页 |
| ·溶胶-凝胶法（Sol–Gel） | 第19-20页 |
| ·实验过程 | 第20-21页 |
| ·薄膜的基本检测方法 | 第21-26页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第21-23页 |
| ·透射电子显微镜（TEM） | 第23页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第23-24页 |
| ·电滞回线（Hysteresis） | 第24-26页 |
| ·结果与分析 | 第26-31页 |
| ·小结 | 第31-32页 |
| 第3章 高度择优取向的Ti_3Al 导电阻挡层的研究 | 第32-38页 |
| ·实验过程 | 第32-33页 |
| ·结果与分析 | 第33-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| 第4章 不同退火工艺对PZT/LSCO/Ti–Al/Si 结构和性能的影响 | 第38-44页 |
| ·实验过程 | 第38-39页 |
| ·结果与分析 | 第39-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 结语 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 攻读学位期间取得的科研成果 | 第52页 |
