VCSEL刻蚀工艺研究

摘要	第1-5页
ABSTRACT	第5-6页
目录	第6-7页
第一章 绪论	第7-19页
·垂直腔面发射激光器(VCSEL)的产生与发展	第7-8页
·VCSEL的特点	第8-10页
·VCSEL的优点	第8-9页
·VCSEL的基本结构	第9-10页
·VCSEL的制备	第10-12页
·VCSEL制作工艺	第10页
·VCSEL的材料及生长研究	第10-12页
·氧化物限制型VCSEL的工艺研究	第12-14页
·氧化物限制型VCSEL的意义	第12页
·VCSEL氧化物限制结构的工艺研究	第12-13页
·VCSEL氧化物限制结构的设计	第13-14页
·VCSEL的进展与应用前景	第14-16页
·本论文的研究目的及主要工作	第16-19页
·研究的目的	第16-17页
·主要工作	第17-19页
第二章 刻蚀	第19-26页
·半导体工艺中的刻蚀技术简介	第19-24页
·AlGaAs/GaAs材料的腐蚀工艺	第24-26页
第三章 980nmVCSEL刻蚀工艺研究	第26-42页
·实验设备	第26-27页
·980nmVCSEL的结构	第27-28页
·980nmVCSEL刻蚀工艺	第28-42页
·刻蚀前的工艺步骤	第28-29页
·刻蚀工艺研究	第29-40页
·980nmVCSEL刻蚀结论	第40-42页
第四章 808nmVCSEL刻蚀工艺研究	第42-53页
·刻蚀前的工艺步骤	第43页
·808nmVCSEL刻蚀工艺研究	第43-53页
全文总结	第53-54页
致谢	第54-55页
参考文献	第55-58页