| 致谢 | 第1-7页 |
| 摘要 | 第7-9页 |
| Abstract | 第9-11页 |
| 目录 | 第11-15页 |
| 图目录 | 第15-22页 |
| 表目录 | 第22-23页 |
| 符号 | 第23-27页 |
| 缩写 | 第27-29页 |
| 第1章 绪论 | 第29-38页 |
| ·研究背景 | 第29-31页 |
| ·LDO芯片的基本原理 | 第31-32页 |
| ·LDO芯片设计研究热点 | 第32-34页 |
| ·无片外负载电容LDO芯片 | 第32页 |
| ·高电源噪声抑制LDO芯片 | 第32-33页 |
| ·优化LDO瞬态响应 | 第33-34页 |
| ·新型频率补偿方案 | 第34页 |
| ·论文的组成和安排 | 第34-35页 |
| ·主要创新 | 第35-38页 |
| ·无片外负载电容LDO芯片和新型摆率增强电路 | 第35-36页 |
| ·电源增益研究和高电源噪声抑制LDO芯片 | 第36页 |
| ·受控电阻生成电路和频率补偿方案 | 第36-38页 |
| 第2章 LDO的组成 | 第38-56页 |
| ·基准电路 | 第38-41页 |
| ·电压基准电路 | 第38-40页 |
| ·电流基准电路 | 第40-41页 |
| ·误差放大器 | 第41-44页 |
| ·误差放大器的结构 | 第42页 |
| ·极点分布 | 第42-43页 |
| ·误差放大器的增益 | 第43页 |
| ·误差放大器的带宽 | 第43页 |
| ·误差放大器的摆率 | 第43页 |
| ·误差放大器的频率补偿方案 | 第43-44页 |
| ·误差放大器的电源抑制特性 | 第44页 |
| ·功率级 | 第44-47页 |
| ·输出电流范围 | 第44-45页 |
| ·功率管栅源电压变化范围 | 第45页 |
| ·功率级的增益 | 第45-46页 |
| ·功率级的带宽(极点) | 第46页 |
| ·功率管的栅电容 | 第46页 |
| ·片外负载电容 | 第46-47页 |
| ·功率级的电源抑制特性 | 第47页 |
| ·辅助电路 | 第47-56页 |
| ·关断电路 | 第47-49页 |
| ·启动电路 | 第49-50页 |
| ·摆率增强电路 | 第50页 |
| ·限流电路 | 第50-52页 |
| ·短路保护电路 | 第52-54页 |
| ·过温保护电路 | 第54-56页 |
| 第3章 基准电路 | 第56-68页 |
| ·电压基准电路 | 第56-60页 |
| ·利用子线性稳压器为电压基准电路进行预稳压 | 第56-58页 |
| ·利用负反馈网络提高电压基准电路的PSR特性 | 第58-60页 |
| ·电流基准电路 | 第60-68页 |
| ·与电源无关电流基准电路的基本原理 | 第61页 |
| ·理论于实际的差距 | 第61-62页 |
| ·改善电流基准电路的电源抑制特性 | 第62-65页 |
| ·利用不同电阻温度特性和二极管的反向电流减小基准电流的温漂系数 | 第65-68页 |
| 第4章 误差放大器 | 第68-79页 |
| ·第二级放大器的结构 | 第68-71页 |
| ·电源电压对第二级放大器的影响 | 第68-70页 |
| ·第二级放走器的输出范围 | 第70-71页 |
| ·第一级放大器结构 | 第71-79页 |
| ·第一级放大器输入管类型 | 第71-72页 |
| ·第一级放大器负载MOS管和第二级放大器输入管的关系 | 第72-75页 |
| ·折叠结构第一级放大器 | 第75-79页 |
| 第5章 频率补偿 | 第79-103页 |
| ·零极点追踪电路 | 第79-103页 |
| ·K.C.Kwok和P.K.T.Mok的零点-极点追踪频率补偿方案 | 第79-82页 |
| ·受控电阻生成电路 | 第82-85页 |
| ·带去零电阻的单米勒电容 | 第85-89页 |
| ·利用单位增益补偿模块的零点-极点追踪频率补偿方案 | 第89-94页 |
| ·包含伪ESR电阻的功率级 | 第94-103页 |
| 第6章 电源噪声抑制 | 第103-140页 |
| ·单级放大器电源噪声抑制特性 | 第104-121页 |
| ·NMOS管输入差分放大器结构(N-DA) | 第105-107页 |
| ·NMOS管输入共源级放大器(N-CS) | 第107-111页 |
| ·NMOS管输入共源跟随器(N-SF) | 第111-113页 |
| ·PMOS管输入差分放大器结构(P-DA) | 第113-118页 |
| ·PMOS管输入共源级放大器(P-CS) | 第118-120页 |
| ·PMOS管输入源跟随器(P-SF) | 第120-121页 |
| ·LDO电路结构与电源噪声抑制特性 | 第121-140页 |
| ·同时优化三个放大器的电源噪声抑制特性 | 第122-127页 |
| ·第二级放大器和功率级所提供的电源噪声相互抵消 | 第127-131页 |
| ·第一级放大器和第二级放大器所提供的电源噪声相互抵消 | 第131-134页 |
| ·三级放大器提供的电源噪声相互抵消 | 第134-140页 |
| 第7章 LDO大信号响应和摆率增强电路 | 第140-150页 |
| ·摆率增强电路 | 第140-150页 |
| ·以比较器为核心的摆率增强电路 | 第140-142页 |
| ·侦测第一级差分放大器支路电流变化的摆率增强电路 | 第142-144页 |
| ·以微分器为核心的摆率增强电路 | 第144-147页 |
| ·零延时摆率增强电路 | 第147-150页 |
| 第8章 LDO设计实例 | 第150-193页 |
| ·低功耗LDO芯片 | 第150-160页 |
| ·设计要点 | 第150-151页 |
| ·低功耗LDO设计方案 | 第151-156页 |
| ·芯片测试 | 第156-160页 |
| ·片外电容LDO芯片 | 第160-173页 |
| ·设计要点 | 第161-164页 |
| ·无片外电容LDO设计方案 | 第164-168页 |
| ·芯片测试 | 第168-173页 |
| ·高电源噪声抑制LDO芯片 | 第173-193页 |
| ·设计要点 | 第174-183页 |
| ·高电源噪声抑制LDO芯片设计方案 | 第183-186页 |
| ·芯片测试 | 第186-193页 |
| 第9章 总结与展望 | 第193-197页 |
| ·设计难点 | 第193页 |
| ·新技术 | 第193-195页 |
| ·低功耗 | 第193-194页 |
| ·无片外负载电容 | 第194页 |
| ·高电源噪声抑制 | 第194-195页 |
| ·频率补偿方案 | 第195页 |
| ·未来工作与展望 | 第195-197页 |
| 参考文献 | 第197-200页 |
| 作者简历及在攻读博士学位期间主要研究成果 | 第200页 |
