| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 1 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 RRAM阻变存储器 | 第11-16页 |
| 1.2.1 RRAM阻变存储器介绍 | 第11-12页 |
| 1.2.2 电致电阻转变效应介绍 | 第12-13页 |
| 1.2.3 电致电阻转变机理 | 第13-16页 |
| 1.3 石墨烯和氧化石墨烯简介 | 第16-17页 |
| 1.3.1 GO基阻变存储器研究现状 | 第16-17页 |
| 1.3.2 GO磁性的研究进展 | 第17页 |
| 1.4 本论文的研究目的及内容 | 第17-19页 |
| 2 样品制备及表征 | 第19-27页 |
| 2.1 制备薄膜的方法 | 第19-21页 |
| 2.1.1 薄膜GO的制备方法 | 第19-20页 |
| 2.1.2 Gd_20_3薄膜的制备方法 | 第20-21页 |
| 2.2 顶电极的制备方法 | 第21-23页 |
| 2.2.1 Ti顶电极的制备方法 | 第21-22页 |
| 2.2.2 Ag顶电极的制备方法 | 第22-23页 |
| 2.3 结构和形貌表征手段 | 第23-24页 |
| 2.3.1 结构表征 | 第23-24页 |
| 2.3.2 形貌表征 | 第24页 |
| 2.4 测量器件的电性和磁性的方法 | 第24-26页 |
| 2.4.1 电性测量设备 | 第24-25页 |
| 2.4.2 磁性测量设备 | 第25-26页 |
| 2.5 R-T测量设备 | 第26-27页 |
| 3 GO单层膜的阻变性能和磁性研究 | 第27-35页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 Ti/GO/ITO器件的制备 | 第27-29页 |
| 3.2.1 GO薄膜的制备 | 第27-28页 |
| 3.2.2 顶电极的制备 | 第28-29页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第29-34页 |
| 3.3.1 GO薄膜样品的XRD分析 | 第29页 |
| 3.3.2 阻变性能研究 | 第29-31页 |
| 3.3.3 磁性分析 | 第31-32页 |
| 3.3.4 机理分析 | 第32-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 4 不同顶电极对GO单层膜阻变性能的影响 | 第35-42页 |
| 4.1 前言 | 第35页 |
| 4.2 X/GO/ITO (X=Au、Ag、 Cu、Al)器件的制备 | 第35页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第35-41页 |
| 4.3.1 成分分析与形貌表征 | 第35-36页 |
| 4.3.2 阻变性能 | 第36-39页 |
| 4.3.3 阻变机制分析 | 第39-41页 |
| 4.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 5 GO/Gd_2O_3双层膜的阻变性能和磁性研究 | 第42-54页 |
| 5.1 引言 | 第42页 |
| 5.2 Ag/GO/Gd_2O_3/Pt器件的制备 | 第42-43页 |
| 5.2.1 GO/Gd_2O_3双层膜的制备 | 第42-43页 |
| 5.2.2 Ag顶电极制备 | 第43页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第43-53页 |
| 5.3.1 XRD、SEM和EDS分析 | 第43-45页 |
| 5.3.2 阻变性能 | 第45-49页 |
| 5.3.3 磁变性能 | 第49-51页 |
| 5.3.4 阻变和磁变机理分析 | 第51-53页 |
| 5.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 6 结论 | 第54-56页 |
| 6.1 结论 | 第54-55页 |
| 6.2 创新点 | 第55页 |
| 6.3 展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 攻读学位期间取得的科研成果清单 | 第63页 |
