X射线/电子导致SRAM器件单粒子软错误的研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 课题背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 辐射环境 | 第10-12页 |
| 1.2.1 空间辐射环境 | 第10-12页 |
| 1.2.2 地面辐射环境 | 第12页 |
| 1.3 辐射效应 | 第12-16页 |
| 1.3.1 位移损伤效应 | 第12页 |
| 1.3.2 电离辐射损伤 | 第12-16页 |
| 1.4 SRAM器件的结构和工作原理 | 第16-17页 |
| 1.5 单粒子效应的研究现状 | 第17-19页 |
| 1.6 论文主要研究内容 | 第19-21页 |
| 第2章 X射线单粒子效应的研究 | 第21-33页 |
| 2.1 实验条件 | 第21-23页 |
| 2.1.1 X射线单粒子效应模拟装置 | 第21页 |
| 2.1.2 单粒子翻转在线测试系统 | 第21-22页 |
| 2.1.3 辐照器件 | 第22-23页 |
| 2.2 辐照实验基本方案 | 第23-24页 |
| 2.3 实验结果和分析 | 第24-32页 |
| 2.3.1 总剂量效应实验结果 | 第24-27页 |
| 2.3.2 X射线单粒子实验结果 | 第27-28页 |
| 2.3.3 实验结果综合分析 | 第28-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第3章 光子单粒子效应的理论模拟 | 第33-47页 |
| 3.1 Geant4简介 | 第33-34页 |
| 3.2 Geant4研究单粒子效应的方法 | 第34-36页 |
| 3.3 SRAM器件几何建模 | 第36-39页 |
| 3.3.1 器件的几何模型 | 第36-37页 |
| 3.3.2 截面计算模型 | 第37-38页 |
| 3.3.3 物理模型的选取 | 第38-39页 |
| 3.4 模拟结果及分析 | 第39-46页 |
| 3.4.1 临界电荷 | 第39-40页 |
| 3.4.2 多层金属布线层 | 第40-44页 |
| 3.4.3 入射角度 | 第44-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第4章 电子引起单粒子翻转的研究 | 第47-54页 |
| 4.1 实验条件 | 第47-48页 |
| 4.1.1 电子加速器辐照装置 | 第47-48页 |
| 4.2 辐照实验基本方案 | 第48-49页 |
| 4.3 实验结果和分析 | 第49-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第5章 总结和展望 | 第54-56页 |
| 5.1 工作总结 | 第54-55页 |
| 5.2 工作展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 个人简历、攻读硕士期间取得的研究成果 | 第63页 |
