| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第16页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第16-21页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第16-20页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第20-21页 |
| 1.3 本论文的主要工作和结构安排 | 第21-22页 |
| 第二章 Si波导相控阵和GaAs波导相控阵性能对比 | 第22-34页 |
| 2.1 光波导相控阵基本原理 | 第22-25页 |
| 2.1.1 Si的热光效应 | 第22-23页 |
| 2.1.2 GaAs的电光效应 | 第23-24页 |
| 2.1.3 光波导相控阵扫描原理 | 第24-25页 |
| 2.2 Si和GaAs波导阵列传输特性对比 | 第25-29页 |
| 2.2.1 模拟软件简介 | 第25-26页 |
| 2.2.2 波导光场传输条件 | 第26页 |
| 2.2.3 单个波导的传输特性 | 第26-28页 |
| 2.2.4 波导阵列的耦合特性 | 第28-29页 |
| 2.3 Si波导相控阵和GaAs波导相控阵性能对比 | 第29-30页 |
| 2.4 Si波导相控阵扫描特性 | 第30-32页 |
| 2.4.1 扫描范围 | 第30-31页 |
| 2.4.2 扫描光束半角宽度及扫描分辨率 | 第31-32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-34页 |
| 第三章 耦合及分束系统 | 第34-46页 |
| 3.1 Si波导相控阵系统结构 | 第34页 |
| 3.2 光栅耦合器 | 第34-40页 |
| 3.2.1 布拉格条件 | 第35-37页 |
| 3.2.2 光栅周期和占空比对耦合效率的影响 | 第37-38页 |
| 3.2.3 刻蚀深度和占空比对耦合效率的影响 | 第38页 |
| 3.2.4 光源入射角度对耦合效率的影响 | 第38-39页 |
| 3.2.5 工作带宽 | 第39-40页 |
| 3.3 MMI分束器 | 第40-45页 |
| 3.3.1 MMI分束原理 | 第40-42页 |
| 3.3.2 MMI分束器结构设计 | 第42-43页 |
| 3.3.3 拉锥型MMI分束器结构设计 | 第43-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 Si波导光学相控阵移相器阵列设计 | 第46-56页 |
| 4.1 热传导理论基础 | 第46-47页 |
| 4.1.1 热传导微分方程 | 第46-47页 |
| 4.1.2 加热电极材料的选取 | 第47页 |
| 4.2 影响移相器单元温度分布和相移特性的因素 | 第47-52页 |
| 4.2.1 电极宽度对温度分布和相移特性的影响 | 第48-49页 |
| 4.2.2 电极高度对温度分布和相移特性的影响 | 第49-50页 |
| 4.2.3 上包层高度对温度分布和相移特性的影响 | 第50-51页 |
| 4.2.4 电极长度对温度分布和相移特性的影响 | 第51-52页 |
| 4.3 影响移相器阵列温度分布的因素 | 第52-55页 |
| 4.3.1 外加功率对移相器阵列温度分布的影响 | 第52-54页 |
| 4.3.2 阵元周期对温度分布的影响 | 第54-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 作者简介 | 第64-65页 |