| 摘要 | 第8-9页 |
| Abstract | 第9-10页 |
| 第一章 序言 | 第11-16页 |
| 1.1 场致电子发射研究概况 | 第11-12页 |
| 1.2 场致电子发射材料介绍 | 第12-13页 |
| 1.3 本文选题背景及研究内容 | 第13-15页 |
| 参考文献 | 第15-16页 |
| 第二章 场致电子发射基础理论 | 第16-21页 |
| 2.1 场致电子发射的基本理论 | 第16-19页 |
| 2.1.1 半导体材料场致电子发射 | 第17页 |
| 2.1.2 半导体的场致发射电流公式 | 第17页 |
| 2.1.3 场致电子发射性能的评价参数 | 第17-18页 |
| 2.1.4 影响场致电子发射的因素 | 第18-19页 |
| 2.2 改善场致电子发射性能的途径 | 第19-20页 |
| 参考文献 | 第20-21页 |
| 第三章 阳极氧化时间调控整硫化铜三维纳米结构形貌及其场发射性能 | 第21-32页 |
| 3.1 引言 | 第21页 |
| 3.2 硫化铜三维纳米片薄膜的制备及表征 | 第21-25页 |
| 3.2.1 阳极氧化法制备硫化铜三维纳米片薄膜 | 第21-23页 |
| 3.2.2 硫化铜三维纳米片薄膜表面形貌及其物相研究 | 第23-25页 |
| 3.3 硫化铜三维纳米片场致电子发射特性研究 | 第25-30页 |
| 3.3.1 硫化铜三维纳米片电子发射性能以及电特性测试 | 第26-29页 |
| 3.3.2 硫化铜三维纳米片薄膜随不同测试温度的场发射稳定性 | 第29页 |
| 3.3.3 硫化铜三维纳米片薄膜场致电子发射性能增强的机理分析 | 第29-30页 |
| 3.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-32页 |
| 第四章 阳极氧化电流调控硫化铜三维纳米结构形貌及其场致电子发射性能 | 第32-42页 |
| 4.1 引言 | 第32-33页 |
| 4.2 阳极氧化电流调控硫化铜三维纳米片/纳米带薄膜结构 | 第33-34页 |
| 4.3 硫化铜三维纳米片/纳米带形貌及物相表征 | 第34-39页 |
| 4.4 硫化铜三维纳米片/纳米带复合结构的场致电子发射性能 | 第39-40页 |
| 4.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-42页 |
| 第五章 总结与展望 | 第42-44页 |
| 致谢 | 第44-45页 |
| 附录：研究生期间发表和完成的研究论文 | 第45页 |
