首页--工业技术论文--一般工业技术论文--工程材料学论文--特种结构材料论文

Nd:YAG激光照射制备SiC纳米晶须的研究

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
图表清单第9-12页
第一章 绪论第12-26页
   ·引言第12-14页
     ·纳米技术与材料的新发展第12-13页
     ·纳米技术与材料的概念第13页
     ·纳米材料的性能第13-14页
   ·一维纳米材料第14-16页
     ·一维纳米材料的生长第14-15页
     ·一维纳米材料的特性及应用第15-16页
   ·SiC 晶须第16-22页
     ·SiC 晶须的性能第17页
     ·SiC 晶须的制备方法第17-21页
       ·固相法第18-19页
       ·液相法第19-20页
       ·气相法第20-21页
     ·SiC 晶须的生长机理第21-22页
   ·SiC 晶须的应用第22-24页
   ·激光制备碳质纳米材料第24页
   ·本文的主要研究内容第24-26页
第二章 激光照射纳米SiC 材料温度场有限元分析第26-44页
   ·激光器输出激光分析第26-29页
   ·激光照射纳米SiC 模型的建立第29-36页
     ·几何模型的建立第30-32页
     ·物理模型的建立第32-36页
   ·激光照射纳米SiC 模型温度场模拟第36-43页
     ·加载求解第36-37页
     ·激光工艺参数对温度场的影响第37-43页
       ·激光功率的影响第37-39页
       ·激光扫描速度的影响第39-41页
       ·激光光斑直径的影响第41-43页
   ·本章小结第43-44页
第三章 激光照射纳米SiC 原位生长晶须试验第44-60页
   ·纳米SiC 材料试样制备第44-46页
     ·不同有机粘结剂的配制第44-45页
     ·冷等静压原理及压块素坯成型第45-46页
   ·Nd:YAG 激光照射纳米SiC 试验第46-49页
   ·试件照射层显微观察第49-58页
     ·试件照射层相组成第50-51页
     ·样件照射层结构分析第51-58页
   ·本章小结第58-60页
第四章 激光照射纳米SiC 原位生长晶须机理研究第60-79页
   ·激光照射下纳米SiC 晶须生长机理第60-68页
     ·晶须生长的形态第60-63页
       ·晶体生长速度对实际晶体的影响第60-62页
       ·晶须的光洁度、长径比和直晶率第62-63页
     ·晶须生长的过程第63-68页
       ·晶须晶核的形成第63-65页
       ·晶须生长的初级阶段第65-67页
       ·晶须生长的二次增厚阶段或过生长阶段第67-68页
       ·晶须停止生长第68页
   ·激光参数对SiC 晶须生长的影响机理第68-74页
     ·C0_2 激光器参数对SiC 晶须生长的影响第69-71页
     ·Nd:YAG 激光器参数对SiC 晶须生长的影响第71-74页
   ·粘结剂及激光参数对SiC 晶须生长的影响机理第74-78页
     ·粘结剂对SiC 晶须生长的影响第74-78页
       ·照射层的晶须形态第74-76页
       ·粘结剂对晶须生长机制的影响第76-78页
   ·本章小结第78-79页
第五章 总结展望第79-83页
   ·本文工作总结第79-81页
   ·对今后工作的展望第81-83页
参考文献第83-87页
致谢第87-88页
在学期间的研究成果及发表的学术论文第88页

论文共88页,点击 下载论文
上一篇:IPMC人工肌肉材料的制备、理论模型与分析
下一篇:复合材料自动铺丝技术中的路径计算