| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-44页 |
| 1.1 引言 | 第12-16页 |
| 1.2 二维材料 | 第16-31页 |
| 1.2.1 二维过渡金属硫族化合物 | 第16-18页 |
| 1.2.2 二维超导和电荷密度波 | 第18-20页 |
| 1.2.3 二维半导体和异质结 | 第20-26页 |
| 1.2.4 二维电子气 | 第26-31页 |
| 1.3 离子液体双电层晶体管 | 第31-42页 |
| 1.3.1 离子液体双电层晶体管简介 | 第31-34页 |
| 1.3.2 电场调控超导 | 第34-37页 |
| 1.3.3 电场调控铁磁 | 第37-39页 |
| 1.3.4 电场调控金属绝缘体转变 | 第39-42页 |
| 1.3.5 双电层晶体管的其他应用 | 第42页 |
| 1.4 选题背景和研究内容 | 第42-44页 |
| 第二章 实验方法 | 第44-58页 |
| 2.1 真空技术和薄膜沉积 | 第44-48页 |
| 2.1.1 超高真空技术 | 第44-45页 |
| 2.1.2 分子束外延 | 第45-48页 |
| 2.1.3 电子束蒸发 | 第48页 |
| 2.2 微纳加工技术 | 第48-51页 |
| 2.2.1 紫外光刻 | 第48-49页 |
| 2.2.2 电子束曝光 | 第49-50页 |
| 2.2.3 原子层沉积 | 第50-51页 |
| 2.3 微结构与成分分析 | 第51-52页 |
| 2.4 光电性能测试 | 第52-53页 |
| 2.5 磁输运测试 | 第53-58页 |
| 2.5.1 低温强磁场系统 | 第53-54页 |
| 2.5.2 磁输运测量原理 | 第54-56页 |
| 2.5.3 量子振荡 | 第56-58页 |
| 第三章 电场调控ZnO金属绝缘体转变和可变磁阻 | 第58-76页 |
| 3.1 前言 | 第58-63页 |
| 3.2 材料生长和器件制备 | 第63-66页 |
| 3.3 电场调控金属绝缘体转变 | 第66-69页 |
| 3.4 电场调控磁阻 | 第69-73页 |
| 3.5 电场调控光致发光 | 第73-75页 |
| 3.6 本章小结 | 第75-76页 |
| 第四章 电场调控PbTe/CdTe异质结界面二维电子气 | 第76-86页 |
| 4.1 背景介绍 | 第76-77页 |
| 4.2 材料生长和器件制备 | 第77-80页 |
| 4.3 电场调控量子振荡 | 第80-85页 |
| 4.4 本章小结 | 第85-86页 |
| 第五章 二维半导体/超导体材料和器件电子输运研究 | 第86-108页 |
| 5.1 前言 | 第86页 |
| 5.2 MoS_2晶体管及性能 | 第86-90页 |
| 5.2.1 材料合成及表征 | 第86-88页 |
| 5.2.2 器件制备和性能 | 第88-90页 |
| 5.3 二维层状拓扑材料和器件电子输运研究 | 第90-102页 |
| 5.3.1 Bi_2Se_3电子输运研究 | 第91-96页 |
| 5.3.2 (Bi_xSb_(1-x))_2Te_3超导 | 第96-98页 |
| 5.3.3 PdTe_2超导 | 第98-102页 |
| 5.4 β-ZrNCl器件及电子输运研究 | 第102-106页 |
| 5.5 本章小结 | 第106-108页 |
| 第六章 结论 | 第108-110页 |
| 6.1 全文总结 | 第108-109页 |
| 6.2 未来工作展望 | 第109-110页 |
| 参考文献 | 第110-128页 |
| 致谢 | 第128-130页 |
| 个人简历 | 第130-132页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第132页 |
