| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 MoSi_2材料的研究现状 | 第9-13页 |
| 1.2.1 MoSi_2材料的理论计算研究 | 第9-12页 |
| 1.2.2 MoSi_2薄膜材料的实验研究 | 第12-13页 |
| 1.3 材料磁性方面的相关研究 | 第13-14页 |
| 1.4 Stoner标准 | 第14-16页 |
| 1.5 二维材料和范德瓦尔斯异质结 | 第16-18页 |
| 1.5.1 二维材料 | 第16-17页 |
| 1.5.2 过渡金属硫族化合物 | 第17页 |
| 1.5.3 A_2B_3类拓扑绝缘体材料 | 第17-18页 |
| 1.6 Rashba效应 | 第18-20页 |
| 1.7 本论文的研究内容和意义 | 第20-22页 |
| 第2章 理论与方法 | 第22-30页 |
| 2.1 绝热近似 | 第22-23页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第23-26页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第24页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第24-25页 |
| 2.2.3 局域密度近似(LDA)和广义梯度近似(GGA) | 第25-26页 |
| 2.3 布洛赫定理和平面波基矢 | 第26-27页 |
| 2.3.1 布洛赫定理 | 第26页 |
| 2.3.2 平面波基矢 | 第26-27页 |
| 2.4 缀加平面波(PAW) | 第27-28页 |
| 2.5 自旋轨道耦合作用 | 第28页 |
| 2.6 VASP | 第28-29页 |
| 2.7 第一性原理方法在拓扑绝缘体中的应用 | 第29-30页 |
| 第3章 MoSi_2材料的电子性质研究 | 第30-39页 |
| 3.1 引言 | 第30-31页 |
| 3.2 模型与方法介绍 | 第31-33页 |
| 3.2.1 模型描述 | 第31-32页 |
| 3.2.2 方法与参数描述 | 第32-33页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第33-37页 |
| 3.3.1 块体MoSi_2的结构性质和电子性质 | 第33-35页 |
| 3.3.2 1L-6L MoSi_2薄膜在自旋极化态下的电子性质 | 第35-37页 |
| 3.4 小结 | 第37-39页 |
| 第4章 表面修饰对MoSi_2薄膜磁性的影响 | 第39-48页 |
| 4.1 三原子层厚MoSi_2薄膜单侧加氢饱和磁性研究 | 第39-40页 |
| 4.2 三原子层厚MoSi_2薄膜双侧加氢饱和磁性研究 | 第40-41页 |
| 4.3 三原子层厚MoSi_2薄膜单侧加氧饱和磁性研究 | 第41-42页 |
| 4.4 三原子层厚MoSi_2薄膜结构稳定性讨论 | 第42-44页 |
| 4.5 LDA方法与GGA方法的比较 | 第44页 |
| 4.6 Stoner型不稳定性分析 | 第44-45页 |
| 4.7 关于基底的讨论 | 第45-47页 |
| 4.8 小结 | 第47-48页 |
| 第5章 MoSi_2薄膜的铁磁性研究及其应变调控效应 | 第48-55页 |
| 5.1 三原子层厚MoSi_2薄膜铁磁序与反铁磁序的比较 | 第48-50页 |
| 5.2 三个原子层厚的MoSi_2薄膜扩胞磁性质研究 | 第50-51页 |
| 5.3 三个原子层厚的MoSi_2薄膜的应变效应研究 | 第51-54页 |
| 5.4 小结 | 第54-55页 |
| 第6章 MoS_2/Bi_2Te_3异质结电子性质第一性原理研究 | 第55-68页 |
| 6.1 模型与方法介绍 | 第55-58页 |
| 6.1.1 模型描述 | 第55-58页 |
| 6.1.2 方法与参数描述 | 第58页 |
| 6.2 结果与讨论 | 第58-67页 |
| 6.2.1 1QL-6QL Bi2Te_3元胞电子性质计算 | 第58-59页 |
| 6.2.2 MoS_2/5QL Bi2Te_3异质结电子性质研究 | 第59-62页 |
| 6.2.3 MoS_2/3QL Bi2Te_3异质结中Rashba自旋劈裂现象研究 | 第62-63页 |
| 6.2.4 1L MoS_2/Bi2Te_3异质界面电荷转移和内建电场研究 | 第63-67页 |
| 6.3 小结 | 第67-68页 |
| 第7章 总结与展望 | 第68-71页 |
| 7.1 总结 | 第68-69页 |
| 7.2 展望 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 攻读博士期间论文发表及科研情况 | 第80页 |
