| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 电阻式储存器介绍 | 第9-13页 |
| 1.2.1 电阻开关的研究进展 | 第10-11页 |
| 1.2.2 光控电阻开关的发现 | 第11-12页 |
| 1.2.3 电阻开关的结构和分类 | 第12-13页 |
| 1.3 电阻开关的存储机制 | 第13-16页 |
| 1.3.1 金属阳离子引起的导丝模型 | 第13-14页 |
| 1.3.2 氧空位相关的导丝模型 | 第14页 |
| 1.3.3 陷阱效应(Trap/Detrap模型) | 第14-15页 |
| 1.3.4 界面效应(Schottky模型) | 第15页 |
| 1.3.5 铁电极化反转机制 | 第15-16页 |
| 1.4 目前研究中存在的主要问题 | 第16页 |
| 1.5 立题的研究意义和内容 | 第16-18页 |
| 1.5.1 研究的意义 | 第16-17页 |
| 1.5.2 研究的内容 | 第17-18页 |
| 第2章 Carbon、BaTiO_3、BiFeO_3材料的介绍 | 第18-23页 |
| 2.1 Carbon材料的结构、性质和应用 | 第18-19页 |
| 2.2 BaTiO_3材料的结构、性质和应用 | 第19-21页 |
| 2.3 BiFeO_3材料的结构、性质和应用 | 第21-23页 |
| 第3章 Ag/Carbon/Si的电阻开关特性 | 第23-28页 |
| 3.1 Ag/Carbon/Si样品的制备与表征 | 第23-25页 |
| 3.1.1 Ag/Carbon/Si样品的制备 | 第23-24页 |
| 3.1.2 Ag/Carbon/Si样品的表征 | 第24-25页 |
| 3.2 Ag/Carbon/Si器件的阻变效应 | 第25-27页 |
| 3.3 本章总结 | 第27-28页 |
| 第4章 Ta/BiFeO_3/BaTiO_3/Si的电阻开关特性 | 第28-32页 |
| 4.1 Ta/BiFeO_3/BaTiO_3/Si样品的制备与表征 | 第28-29页 |
| 4.2 Ta/BiFeO_3/BaTiO_3/Si器件的阻变效应 | 第29-31页 |
| 4.3 本章总结 | 第31-32页 |
| 第5章 Ta/BiFeO_3/Carbon/BaTiO_3/Si的电阻开关特性 | 第32-37页 |
| 5.1 Ta/BiFeO_3/Carbon/BaTiO_3/Si样品的制备与表征 | 第32页 |
| 5.2 Ta/BiFeO_3/Carbon/BaTiO_3/Si器件的阻变效应 | 第32-36页 |
| 5.3 本章总结 | 第36-37页 |
| 第6章 结论与展望 | 第37-38页 |
| 6.1 结论 | 第37页 |
| 6.2 展望 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-42页 |
| 硕士期间发表论文情况与参加学术活动 | 第42-43页 |
| 致谢 | 第43页 |
