| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 非易失性存储器的介绍 | 第10-20页 |
| 1.2.1 铁电随机存储器 | 第11-12页 |
| 1.2.2 相变存储器 | 第12-13页 |
| 1.2.3 磁阻随机存储器 | 第13-14页 |
| 1.2.4 阻变式存储器 | 第14-20页 |
| 1.3 本论文的研究意义和内容 | 第20-22页 |
| 1.3.1 本论文的研究意义 | 第20页 |
| 1.3.2 本论文的研究内容 | 第20-22页 |
| 第2章 BiFeO_3材料的介绍 | 第22-30页 |
| 2.1 BiFeO_3材料的结构及性质 | 第22-25页 |
| 2.1.1 BiFeO_3的晶体结构 | 第22-23页 |
| 2.1.2 BiFeO_3的多铁性 | 第23-25页 |
| 2.2 BiFeO_3非易失性存储器的研究 | 第25-30页 |
| 2.2.1 关于BiFeO_3非易失性存储器的研究进展 | 第25-27页 |
| 2.2.2 目前存在的问题 | 第27-30页 |
| 第3章 BiFeO_3/C/Ag薄膜的电阻开关特性研究 | 第30-38页 |
| 3.1 BiFeO_3/C/Ag薄膜的制备与表征 | 第30-33页 |
| 3.1.1 BiFeO_3/C/Ag薄膜的制备 | 第30-32页 |
| 3.1.2 BiFeO_3/C/Ag薄膜的表征 | 第32-33页 |
| 3.2 BiFeO_3/C/Ag薄膜的电阻开关特性研究 | 第33-36页 |
| 3.2.1 BiFeO_3/C/Ag薄膜电阻开关特性的测量与结果分析 | 第33-36页 |
| 3.2.2 BiFeO_3/C/Ag薄膜电阻开关特性的解释机制 | 第36页 |
| 3.3 本章总结 | 第36-38页 |
| 第4章 ZnO/BiFeO_3/ZnO薄膜的电阻开关特性研究 | 第38-46页 |
| 4.1 ZnO/BiFeO_3/ZnO薄膜的制备与表征 | 第38-40页 |
| 4.1.1 ZnO/BiFeO_3/ZnO薄膜的制备 | 第38-39页 |
| 4.1.2 ZnO/BiFeO_3/ZnO薄膜的表征 | 第39-40页 |
| 4.2 ZnO/BiFeO_3/ZnO薄膜的电阻开关特性研究 | 第40-43页 |
| 4.2.1 ZnO/BiFeO_3/ZnO薄膜电阻开关特性的测量与结果分析 | 第40-42页 |
| 4.2.2 ZnO/BiFeO_3/ZnO薄膜电阻开关特性的解释机制 | 第42-43页 |
| 4.3 本章总结 | 第43-46页 |
| 第5章 结论 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-58页 |
| 硕士期间论文发表情况 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
