| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第1章 绪论 | 第7-20页 |
| 1.1 前言 | 第7-8页 |
| 1.2 非挥发存储器 | 第8-16页 |
| 1.2.1 基于浮栅的闪存(FLASH) | 第8-9页 |
| 1.2.2 铁电存储器(FRAM) | 第9-10页 |
| 1.2.3 磁存储器(MRAM) | 第10-12页 |
| 1.2.4 电阻式存储器 | 第12-15页 |
| 1.2.5 几种新型不挥发存储器的比较 | 第15-16页 |
| 1.3 阻变式存储器工作原理及发展现状 | 第16-19页 |
| 1.3.1 导电细丝机制 | 第16页 |
| 1.3.2 缺陷能级的电荷俘获和释放机制 | 第16-18页 |
| 1.3.3 肖特基发射效应(Schottky emission) | 第18-19页 |
| 1.4 阻变式存储器研究意义及内容 | 第19-20页 |
| 1.4.1 阻变式存储器研究意义 | 第19页 |
| 1.4.2 本文研究内容 | 第19-20页 |
| 第2章 CuSCN薄膜电阻开关性能研究 | 第20-33页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 实验部分 | 第20-24页 |
| 2.2.1 实验试剂和仪器 | 第20-22页 |
| 2.2.2 样品的制备过程 | 第22-23页 |
| 2.2.3 样品的表征和阻变性能测试 | 第23页 |
| 2.2.4 存储器的制备 | 第23-24页 |
| 2.3 实验结果与讨论 | 第24-32页 |
| 2.3.1 样品分析 | 第24-28页 |
| 2.3.2 样品存储性能测试及分析 | 第28-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第3章 CuSCN/PMMA/ZnO三明治结构电阻开关性能研究 | 第33-42页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 实验部分 | 第33-35页 |
| 3.2.1 样品的制备过程 | 第33-34页 |
| 3.2.2 样品的表征和阻变性能测试 | 第34页 |
| 3.2.3 存储器的制备 | 第34-35页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第35-41页 |
| 3.3.1 样品分析 | 第35-36页 |
| 3.3.2 样品存储性能测试及分析 | 第36-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第4章 Fe/Al_2O_3的电阻开关性能研究 | 第42-54页 |
| 4.1 引言 | 第42页 |
| 4.2 实验部分 | 第42-43页 |
| 4.2.1 样品的制备过程 | 第42-43页 |
| 4.2.2 样品的表征和阻变性能测试 | 第43页 |
| 4.2.3 存储器的制备 | 第43页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第43-52页 |
| 4.3.1 样品分析 | 第43-46页 |
| 4.3.2 样品存储性能测试及分析 | 第46-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-54页 |
| 第5章 结论 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |