| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外铁氧体 γ 辐射研究进展 | 第12-15页 |
| 1.2.1 辐射环境的分类 | 第12-13页 |
| 1.2.2 不同辐照对铁氧体性能的影响 | 第13-15页 |
| 1.2.3 不同辐照的损伤特点 | 第15页 |
| 1.3 选题意义及研究内容 | 第15-16页 |
| 1.3.1 选题意义 | 第15-16页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第16页 |
| 1.4 论文结构 | 第16-18页 |
| 第二章 实验设备及测试仪器 | 第18-25页 |
| 2.1 射频磁控溅射系统 | 第18-19页 |
| 2.2 辐射装置 | 第19-21页 |
| 2.3 薄膜性能测试与表面表征 | 第21-25页 |
| 2.3.1 X射线衍射仪（XRD） | 第21-22页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜（SEM） | 第22-23页 |
| 2.3.3 原子力显微镜（AFM） | 第23页 |
| 2.3.4 振动样品磁力计（VSM） | 第23-24页 |
| 2.3.5 台阶仪 | 第24-25页 |
| 第三章 薄膜工艺对薄膜性能的影响 | 第25-30页 |
| 3.1 射频溅射 | 第25-26页 |
| 3.2 薄膜的生长 | 第26-27页 |
| 3.3 薄膜性能的主要影响因素 | 第27-28页 |
| 3.3.1 薄膜附着力 | 第27页 |
| 3.3.2 薄膜应力 | 第27-28页 |
| 3.3.3 薄膜缺陷 | 第28页 |
| 3.4 薄膜工艺对制备薄膜的影响 | 第28-30页 |
| 3.4.1 基底对薄膜性能的影响 | 第28页 |
| 3.4.2 溅射气压对薄膜性能的影响 | 第28-29页 |
| 3.4.3 溅射功率对薄膜性能的影响 | 第29页 |
| 3.4.4 退火温度对薄膜性能的影响 | 第29-30页 |
| 第四章 Mn_(0.5)Zn_(0.5)Fe_2O_4薄膜制备工艺研究 | 第30-47页 |
| 4.1 靶材成分及物相分析 | 第30-31页 |
| 4.1.1 靶材成分分析 | 第30页 |
| 4.1.2 靶材的物相结构分析 | 第30-31页 |
| 4.2 溅射功率对薄膜性能的影响 | 第31-36页 |
| 4.2.1 薄膜厚度随溅射功率的变化 | 第31-32页 |
| 4.2.2 薄膜物相结构随溅射功率的变化 | 第32页 |
| 4.2.3 薄膜晶粒大小随功率的变化 | 第32-34页 |
| 4.2.4 薄膜磁性随溅射功率的变化 | 第34-35页 |
| 4.2.5 薄膜微观结构随溅射功率的变化 | 第35-36页 |
| 4.3 溅射气压对薄膜性能的影响 | 第36-40页 |
| 4.3.1 薄膜物相结构随溅射气压的变化 | 第36-37页 |
| 4.3.2 薄膜微观表面随溅射气压的变化 | 第37-38页 |
| 4.3.3 薄膜磁性性能随溅射气压的变化 | 第38-40页 |
| 4.4 基片种类和基片温度对薄膜性能的影响 | 第40-43页 |
| 4.4.1 基片种类对薄膜物相结构的影响 | 第40-41页 |
| 4.4.2 基片种类对薄膜磁性性能的影响 | 第41-42页 |
| 4.4.3 基片种类对薄膜表面及断面的影响 | 第42-43页 |
| 4.5 基片温度对薄膜性能的影响 | 第43-46页 |
| 4.5.1 基片温度对薄膜物相结构的影响 | 第44页 |
| 4.5.2 基片温度对薄膜磁性性能的影响 | 第44-45页 |
| 4.5.3 基片温度对薄膜微观表面的影响 | 第45-46页 |
| 4.6 小结 | 第46-47页 |
| 第五章 退火工艺及薄膜晶粒生长研究 | 第47-59页 |
| 5.1 退火温度对薄膜性能的影响 | 第47页 |
| 5.1.1 薄膜退火的意义 | 第47页 |
| 5.2 常压退火 | 第47-51页 |
| 5.2.1 工艺参数的设定 | 第47-48页 |
| 5.2.2 常压下退火对薄膜物相结构的影响 | 第48页 |
| 5.2.3 常压下退火对薄膜表面结构的影响 | 第48-49页 |
| 5.2.4 常压下退火对薄膜微观表面的影响 | 第49-50页 |
| 5.2.5 常压下退火对薄膜磁性性能的影响 | 第50-51页 |
| 5.3 真空保护退火 | 第51-53页 |
| 5.3.1 真空退火对薄膜物相结构的影响 | 第51页 |
| 5.3.2 真空退火对薄膜微观表面的影响 | 第51-52页 |
| 5.3.3 真空退火对薄膜磁性性能的影响 | 第52-53页 |
| 5.4 真空保护下不同退火温度对薄膜的影响 | 第53-55页 |
| 5.4.1 真空保护下不同退火温度对物相结构的影响 | 第53-54页 |
| 5.4.2 真空保护下不同退火温度薄膜的磁性性能 | 第54-55页 |
| 5.5 薄膜晶粒生长动力学 | 第55-59页 |
| 5.5.1 概述 | 第55-56页 |
| 5.5.2 实验与计算结果 | 第56-58页 |
| 5.5.3 小结 | 第58-59页 |
| 第六章 Mn_(0.5)Zn_(0.5)Fe_2O_4薄膜 γ 辐射效应研究 | 第59-69页 |
| 6.1 辐射环境的分类 | 第59页 |
| 6.2 辐射对材料的损伤及机理 | 第59页 |
| 6.3 国内外铁氧体 γ 辐射效应研究状况 | 第59-60页 |
| 6.4 Mn_(0.5)Zn_(0.5)Fe_2O_4薄膜辐照实验设计 | 第60页 |
| 6.5 不同总剂量 γ 辐照对Mn_(0.5)Zn_(0.5)Fe_2O_4薄膜的影响 | 第60-64页 |
| 6.5.1 不同总剂量 γ 辐射对Mn_(0.5)Zn_(0.5)Fe_2O_4薄膜物相结构的影响 | 第61-62页 |
| 6.5.2 不同总剂量 γ 辐照对Mn_(0.5)Zn_(0.5)Fe_2O_4薄膜磁性性能的影响 | 第62-64页 |
| 6.6 不同剂量率 γ 辐照对Mn_(0.5)Zn_(0.5)Fe_2O_4薄膜的影响 | 第64-67页 |
| 6.6.1 不同剂量率 γ 辐照对Mn_(0.5)Zn_(0.5)Fe_2O_4薄膜物相结构的影响 | 第64-65页 |
| 6.6.2 不同剂量率 γ 辐照对Mn_(0.5)Zn_(0.5)Fe_2O_4薄膜磁性性能的影响 | 第65-67页 |
| 6.7 辐射前后Mn_(0.5)Zn_(0.5)Fe_2O_4薄膜微观结构的变化 | 第67-68页 |
| 6.8 小结 | 第68-69页 |
| 第七章 结论与展望 | 第69-71页 |
| 7.1 结论 | 第69页 |
| 7.2 前景与展望 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 硕士期间取得的研究成果 | 第78-79页 |
