| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 金刚石的结构、性质及其应用 | 第9-12页 |
| 1.1.1 金刚石的结构 | 第9-10页 |
| 1.1.2 金刚石的性质与应用 | 第10-12页 |
| 1.2 CVD金刚石的机理 | 第12-14页 |
| 1.3 同质外延单晶金刚石的主要方法 | 第14-17页 |
| 1.3.1 热丝CVD法(Hot Filament CVD:HFCVD) | 第15-16页 |
| 1.3.2 直流电弧等离子体喷射CVD法(DC arc plasma jet CVD) | 第16页 |
| 1.3.3 微波等离子体CVD法 | 第16-17页 |
| 1.4 MPCVD法合成单晶金刚石的研究现状 | 第17-21页 |
| 1.5 论文的选题背景及主要研究内容 | 第21-23页 |
| 1.5.1 选题背景 | 第21-22页 |
| 1.5.2 主要研究内容 | 第22-23页 |
| 第2章 实验设备及表征技术 | 第23-29页 |
| 2.1 MPCVD实验装置 | 第23-25页 |
| 2.2 样品表征技术 | 第25-29页 |
| 2.2.1 光学显微镜（Optical Microscopy） | 第25页 |
| 2.2.2 激光拉曼光谱（Laser Raman Spectroscopy） | 第25-26页 |
| 2.2.3 X射线衍射光谱(XRD:X-ray Diffraction) | 第26-27页 |
| 2.2.4 红外光谱(Infrared Spectroscopy) | 第27-29页 |
| 第3章 CH_4/H_2体系下同质外延生长单晶金刚石 | 第29-40页 |
| 3.1 籽晶的选择与预处理 | 第29-31页 |
| 3.1.1 籽晶的选择 | 第29-30页 |
| 3.1.2 籽晶的预处理 | 第30-31页 |
| 3.2 CH_4/H_2气氛下，碳源浓度、衬底温度和气压对CVD单晶金刚石生长的影响 | 第31-39页 |
| 3.2.1 碳源浓度对CVD单晶金刚石生长的影响 | 第31-34页 |
| 3.2.2 沉积温度对CVD单晶金刚石生长的影响 | 第34-37页 |
| 3.2.3 生长气压对CVD单晶金刚石生长的影响 | 第37-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 N_2、O_2、Ar对CVD单晶金刚石生长的影响及大单晶金刚石的合成 | 第40-55页 |
| 4.1 N_2对单晶金刚石生长的影响 | 第40-42页 |
| 4.2 O_2对单晶金刚石生长的影响 | 第42-47页 |
| 4.3 Ar对单晶金刚石生长的影响 | 第47-51页 |
| 4.4 大单晶金刚石的生长 | 第51-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-55页 |
| 第5章 全文总结 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-64页 |
| 硕士期间发表的文章 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
