摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第10-28页 |
1.1 引言 | 第10页 |
1.2 常见制氢方法 | 第10-14页 |
1.3 电化学催化析氢的概述 | 第14-17页 |
1.3.1 析氢反应的催化原理 | 第15页 |
1.3.2 析氢反应的性能参数 | 第15-16页 |
1.3.3 析氢反应的催化剂 | 第16-17页 |
1.4 过渡金属碳化物 | 第17-18页 |
1.5 碳化钼(Mo_2C) | 第18-22页 |
1.5.1 碳化钼(Mo_2C)的结构与性质 | 第18-19页 |
1.5.2 碳化钼(Mo_2C)与析氢反应 | 第19-22页 |
1.6 碳化钨(W_2C) | 第22-26页 |
1.6.1 碳化钨(W_2C)的结构与性质 | 第22-23页 |
1.6.2 碳化钨(WC/W_2C)与析氢反应 | 第23-26页 |
1.7 影响电解水产氢催化剂的因素以及优化措施 | 第26-27页 |
1.8 本文的选题意义和研究内容 | 第27-28页 |
第2章 实验材料及实验方法 | 第28-35页 |
2.1 实验药品及实验仪器 | 第28-29页 |
2.1.1 实验药品 | 第28页 |
2.1.2 实验仪器 | 第28-29页 |
2.2 实验方法 | 第29-30页 |
2.2.1 Mo-PANI纳米管前驱体的制备 | 第29页 |
2.2.2 Mo_2C-碳纳米管复合材料的制备 | 第29-30页 |
2.2.3 W_2C-碳纳米管复合材料的制备 | 第30页 |
2.3 材料结构表征 | 第30-32页 |
2.3.1 X射线粉末衍射分析 | 第31页 |
2.3.2 扫描电子显微镜 | 第31页 |
2.3.3 透射电子显微镜 | 第31-32页 |
2.3.4 拉曼光谱分析 | 第32页 |
2.4 材料的电催化析氢性能测试 | 第32-35页 |
2.4.1 待测样品的制备 | 第32-33页 |
2.4.2 线性扫描伏安曲线(LSV)测试 | 第33页 |
2.4.3 塔菲尔(Tafel)曲线测试 | 第33-34页 |
2.4.4 电化学阻抗(EIS)测试 | 第34页 |
2.4.5 稳定性测试 | 第34-35页 |
第3章 Mo_2C-碳纳米管复合材料的制备及电催化析氢性能 | 第35-61页 |
3.1 引言 | 第35页 |
3.2 Mo-PANI纳米管前驱体的制备和表征 | 第35-37页 |
3.3 Mo_2C/N-C(A)复合材料的表征 | 第37-40页 |
3.3.1 Mo_2C/N-C(A)复合材料的XRD及Raman表征 | 第37-38页 |
3.3.2 Mo_2C/N-C(A)复合材料的电镜及能谱表征 | 第38-39页 |
3.3.3 Mo_2C/N-C(A)复合材料的电化学测试 | 第39-40页 |
3.4 碳化温度对合成材料的影响 | 第40-44页 |
3.4.1 电化学测试 | 第40-41页 |
3.4.2 XRD以及XPS表征 | 第41-43页 |
3.4.3 SEM以及TEM表征 | 第43-44页 |
3.5 不同钼源对合成材料的影响 | 第44-57页 |
3.5.1 组成表征(XRD、Raman、EDS、XPS) | 第45-47页 |
3.5.2 形貌表征(SEM和TEM) | 第47-49页 |
3.5.3 电化学性能测试 | 第49-54页 |
3.5.4 Mo_2C/N-C(S)1000圈循环后的结构与形貌表征 | 第54-55页 |
3.5.5 不同碳化温度下对Mo_2C/N-C(S)的影响 | 第55-57页 |
3.6 其他因素对合成材料的影响 | 第57-59页 |
3.7 本章小结 | 第59-61页 |
第4章 W_2C-碳纳米管复合材料的制备及电催化析氢性能 | 第61-75页 |
4.1 钨源的选择以及表征 | 第61-67页 |
4.1.1 XRD表征 | 第61-62页 |
4.1.2 XPS表征 | 第62页 |
4.1.3 形貌表征(SEM和TEM) | 第62-63页 |
4.1.4 电化学测试 | 第63-67页 |
4.2 碳化温度对合成材料的影响 | 第67-70页 |
4.2.1 XRD表征 | 第68-69页 |
4.2.2 电化学测试 | 第69-70页 |
4.3 不同的W-C比例对合成材料的影响 | 第70-74页 |
4.3.1 组成表征(XRD) | 第70-71页 |
4.3.2 结构与形貌表征(TEM) | 第71-72页 |
4.3.3 电化学性能测试 | 第72-74页 |
4.4 本章小结 | 第74-75页 |
结论 | 第75-76页 |
参考文献 | 第76-82页 |
攻读硕士学位期间发表论文及申请专利 | 第82-84页 |
致谢 | 第84页 |