| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-34页 |
| ·引言 | 第8-10页 |
| ·纳米材料的物理性质 | 第10-12页 |
| ·尺寸效应 | 第10-11页 |
| ·小尺寸效应 | 第11页 |
| ·介电限域效应 | 第11页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第11-12页 |
| ·纳米薄膜材料的光学性质 | 第12-13页 |
| ·Ge纳米晶复合薄膜的研究现状 | 第13-18页 |
| ·锗纳米晶的力学性质及研究现状 | 第18-22页 |
| ·镶嵌有 Ge纳米晶复合薄膜的制备方法 | 第22-27页 |
| ·溅射法(Sputtering) | 第22-23页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第23-24页 |
| ·离子注入法（Ion implantation） | 第24-25页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第25-26页 |
| ·溶胶-凝胶法(Sol-Gel) | 第26-27页 |
| ·半导体纳米材料几种经典的发光模型 | 第27-29页 |
| ·量子限域效应—发光中心模型 | 第27-28页 |
| ·与氧缺陷有关的发光模型 | 第28-29页 |
| ·界面层中的激子效应发光模型 | 第29页 |
| ·直接跃迁发光模型 | 第29页 |
| ·本文章的研究思路和主要内容 | 第29-31页 |
| 参考文献 | 第31-34页 |
| 第二章 脉冲激光沉积技术 | 第34-41页 |
| ·脉冲激光沉积技术的发展简史 | 第34页 |
| ·脉冲激光沉积系统的结构 | 第34-36页 |
| ·脉冲激光沉积技术的原理 | 第36-38页 |
| ·脉冲激光沉积技术的优点、缺点 | 第38-40页 |
| 参考文献 | 第40-41页 |
| 第三章 纳米晶的制备和表征技术 | 第41-48页 |
| ·纳米晶复合薄膜的制备 | 第41-43页 |
| ·设备及实验参数 | 第41-42页 |
| ·衬底 | 第42页 |
| ·靶材 | 第42-43页 |
| ·样品的处理 | 第43页 |
| ·本文所用到的表征技术 | 第43-48页 |
| ·透射电子显微镜（TEM） | 第44-45页 |
| ·拉曼光谱 | 第45-46页 |
| ·光致荧光谱(PL) | 第46页 |
| ·电存储检测(C-V) | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-48页 |
| 第四章 有限元方法及 ANSYS10.0 软件 | 第48-56页 |
| ·有限元方法 | 第48-50页 |
| ·有限元分析的定义 | 第48页 |
| ·有限元理论的发展 | 第48-49页 |
| ·有限元分析的一般步骤 | 第49-50页 |
| ·有限元分析软件 | 第50页 |
| ·ANSYS 软件 | 第50-54页 |
| ·ANSYS 软件简介 | 第51页 |
| ·ANSYS 的功能特点 | 第51-52页 |
| ·ANSYS 的一般分析过程 | 第52-54页 |
| ·ANSYS10.0 软件在本文中的作用 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-56页 |
| 第五章 纳米晶在母体材料中的应力场分布 | 第56-68页 |
| ·ANSYS10.0 计算模型的建立 | 第56-57页 |
| ·纳米晶在母体材料中不同位置的概况 | 第57-61页 |
| ·同种纳米晶在不同母体材料中的概况 | 第61-63页 |
| ·不同纳米晶在同种母体材料中的概况 | 第63-67页 |
| 参考文献 | 第67-68页 |
| 第六章 纳米晶复合薄膜的光电特性 | 第68-75页 |
| ·Ge/ Al_2O_3复合薄膜光致发光谱 | 第69页 |
| ·Ge/Lu_2O_3、Ge/ SiO_2光致发光谱 | 第69-71页 |
| ·LaAlO_3/Lu_2O_3光致发光谱 | 第71页 |
| ·LaAlO_3/Lu_2O_3电存储性能 | 第71-74页 |
| 参考文献 | 第74-75页 |
| 第七章 结论 | 第75-76页 |
| 在硕士期间公开发表论文及著作情况 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |