| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-45页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 二维材料简介 | 第11-25页 |
| 1.2.1 石墨烯 | 第11-12页 |
| 1.2.2 层状半导体材料 | 第12-20页 |
| 1.2.3 二维磁性半导体材料 | 第20-25页 |
| 1.3 二维材料的磁光研究 | 第25-43页 |
| 1.3.1 二维材料中的塞曼效应 | 第26-33页 |
| 1.3.2 二维材料中的磁光克尔效应 | 第33-37页 |
| 1.3.3 二维材料的超快磁光研究 | 第37-43页 |
| 1.4 研究动机和研究内容 | 第43-45页 |
| 第二章 强磁场下2H-MoTe2塞曼效应的研究 | 第45-60页 |
| 2.1 半导体材料中的激子效应以及激子参数的获得 | 第45-49页 |
| 2.1.1 激子效应 | 第45-47页 |
| 2.1.2 塞曼效应 | 第47-49页 |
| 2.2 2H-MoTe_2基本物性及其表征 | 第49-53页 |
| 2.2.1 2H-MoTe_2基本物性 | 第49-51页 |
| 2.2.2 2H-MoTe_2生长及其表征 | 第51-53页 |
| 2.3 强磁场下的反射光谱 | 第53-54页 |
| 2.4 2H-MoTe_2磁场下的Zeeman效应以及A激子参数的获得 | 第54-59页 |
| 2.4.1 强磁场下的反射谱 | 第54-56页 |
| 2.4.2 2H-MoTe_2中A激子的基本参数 | 第56-59页 |
| 2.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 第三章 压力对Cr_2Ge_2Te_6中自旋-晶格耦合的调制研究 | 第60-78页 |
| 3.1 高压技术 | 第60-61页 |
| 3.2 研究材料 | 第61-64页 |
| 3.2.1 Cr_2Ge_2Te_6的基本物性 | 第61-63页 |
| 3.2.2 Cr_2Ge_2Te_6晶体生长 | 第63-64页 |
| 3.3 实验方法 | 第64-66页 |
| 3.3.1 Cr_2Ge_2Te_6压力下的磁性测量 | 第64页 |
| 3.3.2 Cr_2Ge_2Te_6压力下的拉曼光谱 | 第64-65页 |
| 3.3.3 Cr_2Ge_2Te_6压力下晶格演化计算方法 | 第65-66页 |
| 3.4 压力对Cr_2Ge_2Te_6物性的调控 | 第66-76页 |
| 3.4.1 零压时Cr_2Ge_2Te_6基本物性的表征 | 第66-70页 |
| 3.4.2 压力下的Cr_2Ge_2Te_6拉曼光谱 | 第70-72页 |
| 3.4.3 压力对Cr_2Ge_2Te_6磁性的调控 | 第72-74页 |
| 3.4.4 Cr_2Ge_2Te_6中的磁交换作用 | 第74-76页 |
| 3.4.5 压力下Cr_2Ge_2Te_6晶格演化 | 第76页 |
| 3.5 本章小结 | 第76-78页 |
| 第四章 时间分辨磁光克尔测量系统的搭建 | 第78-92页 |
| 4.1 泵浦-探测技术 | 第78-79页 |
| 4.2 磁光克尔效应测量 | 第79-84页 |
| 4.2.1 磁光克尔效应基本原理 | 第79-82页 |
| 4.2.2 磁光克尔效应的测试方法 | 第82-84页 |
| 4.3 测量系统以及实验装置 | 第84-91页 |
| 4.3.1 测量系统 | 第84-85页 |
| 4.3.2 实验装置 | 第85-91页 |
| 4.4 小结 | 第91-92页 |
| 第五章 总结与展望 | 第92-94页 |
| 参考文献 | 第94-102页 |
| 致谢 | 第102-103页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第103页 |
