| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第10-11页 |
| 1.2 移相器与低噪声放大器国内外发展动态 | 第11-19页 |
| 1.2.1 移相器国内外发展动态 | 第11-17页 |
| 1.2.2 低噪声放大器国内外发展动态 | 第17-19页 |
| 1.3 课题主要工作及本文章节安排 | 第19-21页 |
| 第二章 GlobalFoundriesSiGeBiCMOS8xp工艺与器件特性、仿真环境简介 | 第21-32页 |
| 2.1 GlobalFoundriesSiGeBiCMOS8xp工艺特性 | 第21-23页 |
| 2.2 GlobalFoundriesSiGeBiCMOS8xp器件特性 | 第23-28页 |
| 2.2.1 MOSFET晶体管 | 第23-25页 |
| 2.2.2 异质结双极晶体管 | 第25-26页 |
| 2.2.3 电感 | 第26-27页 |
| 2.2.4 电容 | 第27-28页 |
| 2.2.5 电阻 | 第28页 |
| 2.3 GlobalFoundriesSiGeBiCMOS8xp隔离技术介绍 | 第28-30页 |
| 2.4 仿真环境介绍 | 第30-32页 |
| 第三章 移相器和低噪声放大器的简介 | 第32-36页 |
| 3.1 移相器的关键指标 | 第32-33页 |
| 3.2 低噪声放大器的关键指标 | 第33-34页 |
| 3.3 低噪声放大器的关键技术简介 | 第34-35页 |
| 3.3.1 并联电感峰化技术 | 第34页 |
| 3.3.2 输入匹配拓宽技术 | 第34-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 Ka波段六位数字移相器的研究 | 第36-68页 |
| 4.1 开关线型移相器的设计 | 第37-41页 |
| 4.1.1 高隔离度开关的设计 | 第37-38页 |
| 4.1.2 移相单元的设计 | 第38-40页 |
| 4.1.3 移相器的设计 | 第40-41页 |
| 4.2 高低通型移相器的设计 | 第41-54页 |
| 4.2.1 移相单元结构介绍 | 第42-46页 |
| 4.2.2 5.625 °、11.25°、22.5°移相单元的设计 | 第46-48页 |
| 4.2.3 45 °移相单元的设计 | 第48-49页 |
| 4.2.4 90 °移相单元的设计 | 第49-51页 |
| 4.2.5 180 °移相单元的设计 | 第51-52页 |
| 4.2.6 移相器整体电路的设计 | 第52-54页 |
| 4.3 高低通型移相器芯片的测试 | 第54-67页 |
| 4.3.1 不同仿真方法的对比 | 第54-55页 |
| 4.3.2 各个移相单元电路的测试 | 第55-64页 |
| 4.3.3 移相器整体电路的测试 | 第64-67页 |
| 4.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 第五章 K、Ka波段低噪声放大器的设计 | 第68-75页 |
| 5.1 K波段低噪声放大器的设计 | 第68-71页 |
| 5.2 K波段低噪声放大器的测试 | 第71-73页 |
| 5.3 Ka波段低噪声放大器的设计 | 第73-74页 |
| 5.4 本章小结 | 第74-75页 |
| 第六章 总结与展望 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-82页 |
| 附录 | 第82-83页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第83页 |
