CsI(Tl)X射线探测组件设计及关键技术研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 X射线探测器 | 第9-11页 |
| 1.1.1 半导体X射线探测器 | 第10页 |
| 1.1.2 闪烁体X射线探测器 | 第10-11页 |
| 1.2 闪烁体材料 | 第11-14页 |
| 1.2.1 CsI系闪烁体材料 | 第12-13页 |
| 1.2.2 CsI:Tl闪烁体 | 第13-14页 |
| 1.3 CsI闪烁体国内外研究状况 | 第14-17页 |
| 1.4 本文选题依据及内容安排 | 第17-19页 |
| 第二章 X射线探测组件仿真设计研究 | 第19-36页 |
| 2.1 模拟原理及方法 | 第19-21页 |
| 2.1.1 MonteCarlo模拟 | 第19-20页 |
| 2.1.2 Geant4软件介绍 | 第20-21页 |
| 2.2 X射线探测组件模型建立 | 第21-27页 |
| 2.2.1 建立模型 | 第22-26页 |
| 2.2.2 多粒子探测仿真模型 | 第26-27页 |
| 2.3 X射线探测组件结构模拟 | 第27-34页 |
| 2.3.1 X射线探测距离对光产能的影响 | 第27-29页 |
| 2.3.2 X射线源对光产能的影响 | 第29-31页 |
| 2.3.3 薄膜厚度对探测效率的影响 | 第31-34页 |
| 2.4 本章小节 | 第34-36页 |
| 第三章 CsI:Tl薄膜沉积技术及测试技术 | 第36-46页 |
| 3.1 CsI:Tl闪烁屏制备方法 | 第36-37页 |
| 3.2 实验装置及材料 | 第37-38页 |
| 3.2.1 实验装置及设备 | 第37-38页 |
| 3.2.2 实验材料 | 第38页 |
| 3.3 CsI:Tl薄膜制备实验 | 第38-41页 |
| 3.3.1 衬底清洗 | 第38-39页 |
| 3.3.2 真空镀膜机的清洁 | 第39页 |
| 3.3.3 薄膜制备实验步骤 | 第39-40页 |
| 3.3.4 薄膜抗潮解层制备 | 第40-41页 |
| 3.4 薄膜测试技术 | 第41-45页 |
| 3.4.1 电镜扫描(SEM)技术 | 第41-42页 |
| 3.4.2 X射线衍射(XRD)技术 | 第42-43页 |
| 3.4.3 台阶仪 | 第43-44页 |
| 3.4.4 稳态荧光光谱仪 | 第44-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 X射线探测屏关键性能研究 | 第46-62页 |
| 4.1 闪烁薄膜生长技术研究 | 第46-51页 |
| 4.1.1 薄膜生长模型 | 第46-48页 |
| 4.1.2 掺铊碘化铯薄膜生长研究 | 第48-51页 |
| 4.2 闪烁屏光光转换研究 | 第51-57页 |
| 4.2.1 晶体择优取向对于光光转换的影响 | 第51-55页 |
| 4.2.2 薄膜厚度对光光转换的影响 | 第55-57页 |
| 4.3 掺铊碘化铯薄膜沉积速率工艺优化 | 第57-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-62页 |
| 第五章 X射线探测组件的设计与优化 | 第62-72页 |
| 5.1 X射线探测组件结构设计 | 第62-67页 |
| 5.1.1 X射线探测组件材料选择 | 第62-64页 |
| 5.1.2 X射线探测组件结构设计 | 第64-67页 |
| 5.2 CCD阵列化匹配 | 第67-70页 |
| 5.3 X射线探测组件成像实验 | 第70-71页 |
| 5.4 本章小结 | 第71-72页 |
| 第六章 总结 | 第72-74页 |
| 6.1 本文工作总结 | 第72-73页 |
| 6.2 展望 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-81页 |
| 攻读硕士学位期间研究成果 | 第81页 |
