| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-33页 |
| 1.1 引言 | 第8-10页 |
| 1.2 石墨烯 | 第10-26页 |
| 1.2.1 石墨烯的基本性质 | 第10-11页 |
| 1.2.2 石墨烯的制备 | 第11-13页 |
| 1.2.3 石墨烯与衬底的相互作用 | 第13-15页 |
| 1.2.4 石墨烯的缺陷与掺杂 | 第15-21页 |
| 1.2.5 石墨烯与拓扑绝缘体 | 第21-24页 |
| 1.2.6 问题与展望 | 第24-26页 |
| 1.3 石墨烯衍生材料 | 第26-31页 |
| 1.3.1 石墨烷 | 第26-27页 |
| 1.3.2 硅烯、锗烯和锗烷 | 第27-29页 |
| 1.3.3 过渡金属硫化物 | 第29-30页 |
| 1.3.4 六方氮化硼和硼氮碳杂化材料 | 第30-31页 |
| 1.4 第一原理计算 | 第31-32页 |
| 1.5 论文内容安排 | 第32-33页 |
| 第2章 理论方法 | 第33-45页 |
| 2.1 引言 | 第33-34页 |
| 2.2 绝热近似 | 第34-35页 |
| 2.3 哈特利-福克近似 | 第35-36页 |
| 2.3.1 哈特利方程 | 第35页 |
| 2.3.2 福克近似 | 第35-36页 |
| 2.4 密度泛函理论 | 第36-40页 |
| 2.4.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第37页 |
| 2.4.2 Kohn-Sham方程 | 第37-38页 |
| 2.4.3 交换关联泛函 | 第38-40页 |
| 2.5 密度泛函微扰理论 | 第40-45页 |
| 2.5.1 晶格动力学与电子结构的关联 | 第40-41页 |
| 2.5.2 线性响应 | 第41-42页 |
| 2.5.3 晶体中的声子模式 | 第42-45页 |
| 第3章 石墨烯和碳化硅衬底的界面调制 | 第45-54页 |
| 3.1 引言 | 第45-46页 |
| 3.2 计算方法与模型 | 第46-47页 |
| 3.3 界面原子插层结构 | 第47-48页 |
| 3.4 外延石墨烯的电子结构调控 | 第48-51页 |
| 3.5 界面磁性 | 第51-52页 |
| 3.6 本章小结 | 第52-54页 |
| 第4章 石墨烯的力学性质调制：电荷掺杂增强石墨烯强度 | 第54-63页 |
| 4.1 引言 | 第54-55页 |
| 4.2 计算方法和模型 | 第55页 |
| 4.3 电荷掺杂对石墨烯强度的影响 | 第55-58页 |
| 4.4 物理机制 | 第58-60页 |
| 4.5 应变测试与机制论证 | 第60-61页 |
| 4.6 本章小结 | 第61-63页 |
| 第5章 应变石墨烯中显著增强的电声耦合 | 第63-74页 |
| 5.1 引言 | 第63页 |
| 5.2 计算方法和模型 | 第63-64页 |
| 5.3 掺杂对石墨烯电声耦合强度的影响 | 第64-65页 |
| 5.4 应变对石墨烯电声耦合强度的影响 | 第65-69页 |
| 5.5 应变石墨烯中的超导 | 第69-72页 |
| 5.6 本章小结 | 第72-74页 |
| 第6章 石墨烯衍生材料中的大带隙拓扑绝缘体：功能化的锗烯 | 第74-85页 |
| 6.1 引言 | 第74-75页 |
| 6.2 计算方法和模型 | 第75-76页 |
| 6.3 几何结构和能带拓扑性质 | 第76-77页 |
| 6.4 应变或功能化导致的能带翻转 | 第77-78页 |
| 6.5 大的拓扑非平庸带隙的来源 | 第78-84页 |
| 6.6 本章总结 | 第84-85页 |
| 第7章 结论 | 第85-87页 |
| 参考文献 | 第87-99页 |
| 致谢 | 第99-101页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第101-102页 |