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针对组合逻辑电路的抗辐射加固研究

致谢第7-8页
摘要第8-9页
ABSTRACT第9-10页
第一章 绪论第16-23页
    1.1 研究背景及现状第16-20页
        1.1.1 研究背景第16-19页
        1.1.2 研究现状第19-20页
    1.2 研究意义第20-21页
    1.3 研究内容及创新之处第21-22页
        1.3.1 研究内容第21页
        1.3.2 创新之处第21-22页
    1.4 论文组织结构第22-23页
第二章 软错误基础知识及评估工具第23-36页
    2.1 辐射环境第24-26页
        2.1.1 空间辐射环境第24-25页
        2.1.2 大气辐射环境第25-26页
        2.1.3 核辐射环境第26页
        2.1.4 其它辐射环境第26页
    2.2 软错误产生机理第26-27页
    2.3 单粒子效应第27-30页
        2.3.1 单粒子效应分类第28-29页
        2.3.2 单粒子翻转第29页
        2.3.3 单粒子瞬态第29-30页
    2.4 软错误率的分析与评估第30-33页
        2.4.1 软错误率的评估技术第30-31页
        2.4.2 软错误率的评价标准第31页
        2.4.3 软错误率的计算及三种屏蔽效应第31-33页
    2.5 BFIT工具第33-35页
        2.5.1 BFIT的原理第33-34页
        2.5.2 BFIT的使用第34-35页
    2.6 本章小结第35-36页
第三章 组合逻辑电路加固技术第36-44页
    3.1 冗余技术第38-39页
    3.2 门尺寸重调法第39-40页
    3.3 二极管钳位电路法第40-41页
    3.4 电压调整法第41-42页
    3.5 CWSP单元加固法第42-43页
    3.6 本章小结第43-44页
第四章 基于CVSL结构的组合逻辑选择性加固方案第44-56页
    4.1 级联电压开关逻辑CVSL第44-50页
        4.1.1 CVSL逻辑的提出第44-46页
        4.1.2 CVSL的结构分析第46-47页
        4.1.3 CVSL门的容SET效果分析第47-48页
        4.1.4 “CVSL门对”结构第48-50页
    4.2 选择性加固思想第50页
    4.3 基于“CVSL门对”结构的组合逻辑选择性加固第50-52页
        4.3.1 软错误率的计算第50页
        4.3.2 加固算法第50-52页
    4.4 实验结果与分析第52-54页
    4.5 与相关工作比较第54页
    4.6 本章小结第54-56页
第五章 总结与展望第56-57页
    5.1 全文总结第56页
    5.2 进一步工作第56-57页
参考文献第57-61页
攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况第61-62页

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