| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第10-27页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 二硒化钼的结构 | 第11-13页 |
| 1.3 二硒化钼的性能 | 第13-15页 |
| 1.3.1 二硒化钼的力学性能 | 第13页 |
| 1.3.2 二硒化钼的光学性能 | 第13-14页 |
| 1.3.3 二硒化钼的电学性能 | 第14-15页 |
| 1.4 二硒化钼的制备方法 | 第15-19页 |
| 1.4.1 机械剥离法 | 第15页 |
| 1.4.2 插层剥离法 | 第15-16页 |
| 1.4.3 分子束外延 | 第16-17页 |
| 1.4.4 水热法 | 第17-18页 |
| 1.4.5 硒化法 | 第18-19页 |
| 1.5 二硒化钼的应用 | 第19-24页 |
| 1.5.1 固体润滑剂 | 第19-20页 |
| 1.5.2 传感器 | 第20-21页 |
| 1.5.3 催化剂 | 第21页 |
| 1.5.4 锂离子电池 | 第21页 |
| 1.5.5 太阳能电池 | 第21-22页 |
| 1.5.6 薄膜晶体管 | 第22-24页 |
| 1.6 薄膜晶体管的工作原理及性能参数 | 第24-25页 |
| 1.7 本论文选题依据及主要研究内容 | 第25-27页 |
| 2 实验材料设备及表征技术 | 第27-35页 |
| 2.1 实验材料及设备 | 第27-28页 |
| 2.1.1 实验材料 | 第27页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第27-28页 |
| 2.2 样品制备设备 | 第28-31页 |
| 2.2.1 电子束蒸发系统 | 第29-30页 |
| 2.2.2 硒化设备 | 第30-31页 |
| 2.2.3 磁控溅射设备 | 第31页 |
| 2.3 表征技术 | 第31-34页 |
| 2.3.1 拉曼光谱仪 | 第32页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜 | 第32页 |
| 2.3.3 X射线光电子能谱 | 第32-33页 |
| 2.3.4 透射电子显微镜 | 第33页 |
| 2.3.5 霍尔测试 | 第33-34页 |
| 2.3.6 半导体测试系统 | 第34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 3 硒化单质钼薄膜制备二硒化钼薄膜 | 第35-53页 |
| 3.1 本章引论 | 第35页 |
| 3.2 实验部分 | 第35-38页 |
| 3.2.1 衬底的制备 | 第36-37页 |
| 3.2.2 钼薄膜的制备 | 第37页 |
| 3.2.3 二硒化钼薄膜的制备 | 第37-38页 |
| 3.3 不同反应条件对二硒化钼薄膜成分与相结构的影响 | 第38-41页 |
| 3.3.1 硒源温度对二硒化钼薄膜化学组成的影响 | 第38-39页 |
| 3.3.2 生长温度对二硒化钼薄膜相结构的影响 | 第39-40页 |
| 3.3.3 生长时间对二硒化钼薄膜微观结构的影响 | 第40-41页 |
| 3.4 最佳工艺条件下二硒化钼薄膜的制备与物性分析 | 第41-48页 |
| 3.5 二硒化钼薄膜晶体管的制备及性能研究 | 第48-52页 |
| 3.6 本章小结 | 第52-53页 |
| 4 低温硒化三氧化钼薄膜制备二硒化钼薄膜 | 第53-65页 |
| 4.1 本章引论 | 第53页 |
| 4.2 三氧化钼薄膜的制备 | 第53-54页 |
| 4.3 三氧化钼薄膜的相结构与成分分析 | 第54-57页 |
| 4.4 低温硒化α-MoO_3制备二硒化钼薄膜 | 第57-64页 |
| 4.4.1 二硒化钼薄膜的制备 | 第57-58页 |
| 4.4.2 低温制备二硒化钼薄膜的表征 | 第58-62页 |
| 4.4.3 低温制备二硒化钼薄膜器件性能的表征 | 第62-64页 |
| 4.5 本章小结 | 第64-65页 |
| 5 结论与展望 | 第65-67页 |
| 5.1 结论 | 第65-66页 |
| 5.2 展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 个人简历 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |