| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第14-21页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第14-16页 |
| 1.1.1 主要的几种SRAM加固理论 | 第14页 |
| 1.1.2 几种常见的加固方法 | 第14-16页 |
| 1.2 课题研究现状 | 第16-18页 |
| 1.3 本课题的设计目标及工作内容 | 第18-19页 |
| 1.4 本论文组织结构 | 第19-21页 |
| 第二章 SRAM失效原理以及纠错编码的特点 | 第21-27页 |
| 2.1 SRAM失效原理 | 第21-22页 |
| 2.2 SRAM基本错误模型 | 第22-24页 |
| 2.3 纠错编码进行纠错的原理 | 第24-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 基于ECC加固的SRAM平均失效时间的快速算法 | 第27-44页 |
| 3.1 空间假设环境 | 第28页 |
| 3.2 不带刷新模式模型分析 | 第28-29页 |
| 3.3 实际单粒子效应在SRAM中的错误特性建模 | 第29-35页 |
| 3.3.1 MBU的基本错误图样 | 第30页 |
| 3.3.2 引入MBU的基本错误图样建模 | 第30-33页 |
| 3.3.3 SRAM中翻转重叠情况 | 第33页 |
| 3.3.4 引入SRAM中翻转重叠特性建模 | 第33-34页 |
| 3.3.5 基于SRAM中的错误特性综合建模 | 第34-35页 |
| 3.4 边界条件建立 | 第35-38页 |
| 3.5 边界条件下MTTF的计算 | 第38-39页 |
| 3.6 带刷新模式下的ECC加固的SRAM基本模型分析 | 第39-40页 |
| 3.7 刷新模式下边界条件的建立及计算 | 第40-41页 |
| 3.7.1 边界条件的建立 | 第40-41页 |
| 3.7.2 刷新模式下MTTF的计算 | 第41页 |
| 3.8 Matlab仿真 | 第41-43页 |
| 3.8.1 非刷新模式下仿真 | 第41-42页 |
| 3.8.2 刷新模式下仿真 | 第42-43页 |
| 3.9 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 基于FPGA的SRAM空间可靠性测试评估方案 | 第44-79页 |
| 4.1 FPGA测试方案概述 | 第44-48页 |
| 4.1.1 FPGA基本结构介绍 | 第44-45页 |
| 4.1.2 FPGA开发流程介绍 | 第45-47页 |
| 4.1.3 本文FPGA开发环境介绍 | 第47-48页 |
| 4.2 统计计算方案的测试原理 | 第48-51页 |
| 4.2.1 SRAM失效测试原理 | 第48-49页 |
| 4.2.2 ECC加固的SRAM可靠性测试原理 | 第49-50页 |
| 4.2.3 FPGA上采用ECC加固的SRAM错误注入原理 | 第50-51页 |
| 4.3 FPGA对ECC加固的SRAM测试整体设计 | 第51-54页 |
| 4.3.1 整体流程介绍 | 第51-52页 |
| 4.3.2 整体框架介绍 | 第52-54页 |
| 4.4 评估系统设计实现 | 第54-74页 |
| 4.4.1 通用寄存器组结构 | 第54-56页 |
| 4.4.2 主控模块设计 | 第56-58页 |
| 4.4.3 错误注入系统设计 | 第58-66页 |
| 4.4.4 监控模块设计 | 第66-68页 |
| 4.4.5 PCI Express通信接.设计 | 第68-74页 |
| 4.5 测试流程 | 第74-77页 |
| 4.6 测试次数对比 | 第77-78页 |
| 4.7 本章小节 | 第78-79页 |
| 第五章 仿真与测试 | 第79-85页 |
| 5.1 非刷新结构下的MTTF计算对比 | 第79-81页 |
| 5.2 刷新结构下的MTTF计算对比 | 第81-83页 |
| 5.3 总结 | 第83-85页 |
| 第六章 总结与展望 | 第85-87页 |
| 6.1 创新点与工作内容 | 第85-86页 |
| 6.1.1 本文创新点 | 第85页 |
| 6.1.2 本文工作内容 | 第85-86页 |
| 6.2 研究结论 | 第86页 |
| 6.3 本文工作展望 | 第86-87页 |
| 致谢 | 第87-88页 |
| 参考文献 | 第88-91页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第91-92页 |
