| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 引言 | 第6-9页 |
| 第二章 晶体、辐照与缺陷 | 第9-23页 |
| 2.1 SiC简介 | 第9-12页 |
| 2.1.1 SiC种类 | 第9页 |
| 2.1.2 SiC晶体结构 | 第9-10页 |
| 2.1.3 6H-SiC样品 | 第10-12页 |
| 2.2 缺陷简介 | 第12-16页 |
| 2.2.1 热缺陷的统计平衡理论 | 第12-15页 |
| 2.2.2 位错的运动 | 第15-16页 |
| 2.2.2.1 位错的滑移 | 第15页 |
| 2.2.2.2 位错的攀移 | 第15-16页 |
| 2.2.3 镶嵌结构 | 第16页 |
| 2.3 辐照 | 第16-23页 |
| 2.3.1 辐照损伤 | 第17-19页 |
| 2.3.2 辐照效应 | 第19-20页 |
| 2.3.3 辐照效应的分类 | 第20-21页 |
| 2.3.4 辐照损伤的回复 | 第21-23页 |
| 2.3.4.1 退火 | 第21页 |
| 2.3.4.2 辐照缺陷回复的一般规律 | 第21-23页 |
| 第三章 X射线衍射原理 | 第23-32页 |
| 3.1 X射线衍射的Ewald反射球 | 第23-24页 |
| 3.2 完整晶体的衍射峰强度和半高宽 | 第24-25页 |
| 3.3 影响X射线衍射的因素 | 第25-32页 |
| 3.3.1 仪器、实验条件对衍射图谱的影响 | 第25-28页 |
| 3.3.2 晶体结构对衍射峰形的影响 | 第28-30页 |
| 3.3.2.1 X射线色散、发散和晶体镶嵌结构对X射线衍射的影响 | 第28-29页 |
| 3.3.2.2 位错密度与X射线衍射半高宽的关系 | 第29-30页 |
| 3.3.3 非对称衍射、斜对称衍射对X射线衍射影响 | 第30-32页 |
| 3.3.3.1 非对称衍射对半高宽的影响 | 第30-31页 |
| 3.3.3.2 斜对称衍射对X射线摇摆曲线半高宽的影响 | 第31-32页 |
| 第四章 实验、结果与讨论 | 第32-48页 |
| 4.1 实验条件 | 第32页 |
| 4.2 中子辐照缺陷的X射线双晶摇摆曲线检测 | 第32-34页 |
| 4.3 XRD定向检测技术 | 第34-48页 |
| 4.3.1 本组的中子辐照6H-SiC晶体缺陷回复检测的发展 | 第34-36页 |
| 4.3.2 入射方向对半高宽测试的影响 | 第36-39页 |
| 4.3.3 偏角在X射线衍射中的作用 | 第39-43页 |
| 4.3.4 缺陷退火回复规律的定向检测 | 第43-48页 |
| 第五章 总结与展望 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
