| 目录 | 第2-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 引言 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| 1.1 功率半导体器件发展 | 第7-8页 |
| 1.2 功率MOSFET的器件结构与基本特点 | 第8-9页 |
| 1.3 传统功率MOSFET的极限 | 第9-10页 |
| 1.4 超结Super-Junction功率器件的引入 | 第10-11页 |
| 1.5 功率MOSFET的研究方向 | 第11-13页 |
| 第二章 Super-Junction器件结构与理论 | 第13-19页 |
| 2.1 Super-Junction MOSFET结构与基本理论 | 第13-14页 |
| 2.2 Super-Junction MOSFET作原理 | 第14-16页 |
| 2.3 Super-Junction MOSFET BV与Ron的关系 | 第16-19页 |
| 第三章 Super-Junction MOSFET的制造工艺 | 第19-25页 |
| 3.1 多次外延和注入技术 | 第19-21页 |
| 3.2 深槽刻蚀和填槽技术 | 第21-23页 |
| 3.3 多次注入技术 | 第23-24页 |
| 3.4 几种超结制造技术总结 | 第24-25页 |
| 第四章 600V SJ器件元胞设计与仿真 | 第25-39页 |
| 4.1 超结结构电荷非平衡对耐压的影响 | 第26-32页 |
| 4.2 工艺流程设计 | 第32-33页 |
| 4.3 元胞仿真结果与分析 | 第33-38页 |
| 4.4 元胞仿真结果汇总 | 第38-39页 |
| 第五章 600V SJ器件终端设计与仿真 | 第39-54页 |
| 5.1 常见的结终端技术 | 第39-44页 |
| 5.2 超结器件的终端 | 第44-46页 |
| 5.3 超结终端设计与仿真结果分析 | 第46-53页 |
| 5.4 终端总结 | 第53-54页 |
| 第六章 总结与展望 | 第54-55页 |
| 6.1 本文工作总结 | 第54页 |
| 6.2 超结技术的发展方向展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 附录：超结MOSFET元胞仿真程序 | 第59-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
