| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-31页 |
| 1.1 X 射线成像系统发展概况 | 第9-12页 |
| 1.2 X 射线相衬成像发展 | 第12-20页 |
| 1.2.1 同轴相衬成像系统 | 第12-13页 |
| 1.2.2 晶体干涉仪相衬成像系统 | 第13-14页 |
| 1.2.3 衍射增强相衬成像系统 | 第14-15页 |
| 1.2.4 基于光栅的 X 射线微分干涉相衬成像系统 | 第15-20页 |
| 1.3 X 射线微分干涉相衬成像关键器件的研究进展 | 第20-29页 |
| 1.3.1 利用 LIGA 技术的 X 射线光栅概述 | 第22-24页 |
| 1.3.2 X 射线光栅的湿法腐蚀法 | 第24-27页 |
| 1.3.3 基于荧光材料的 X 射线转换屏的发展 | 第27-29页 |
| 1.4 本文的研究内容与意义 | 第29-31页 |
| 第二章 X 射线吸收光栅结构制作 | 第31-53页 |
| 2.1 基于光栅的 X 射线微分干涉相衬成像系统的分析 | 第31-35页 |
| 2.1.1 相衬成像系统的泰伯效应描述 | 第31-32页 |
| 2.1.2 基于光栅的 X 射线相衬成像系统对空间相干性的要求 | 第32-34页 |
| 2.1.3 吸收光栅形貌确定 | 第34-35页 |
| 2.2 光助电化学刻蚀方法介绍 | 第35-38页 |
| 2.3 X 射线源光栅结构的制作 | 第38-43页 |
| 2.3.1 源光栅基底的选取及刻蚀前期准备工作 | 第38-41页 |
| 2.3.2 刻蚀装置介绍 | 第41-43页 |
| 2.4 吸收光栅结构的 HF 电化学腐蚀 | 第43-51页 |
| 2.4.1 源光栅结构的 HF 腐蚀 | 第43-48页 |
| 2.4.2 分析光栅结构的 HF 腐蚀 | 第48-51页 |
| 2.5 本章小结 | 第51-53页 |
| 第三章 吸收光栅结构的表面改性与填充 | 第53-76页 |
| 3.1 表面改性技术介绍及其必要性 | 第53-55页 |
| 3.1.1 表面改性技术分类 | 第53-54页 |
| 3.1.2 表面改性的必要性 | 第54-55页 |
| 3.2 硅基表面形成氧化膜的方法 | 第55-61页 |
| 3.2.1 化学气相沉积方法 | 第55-57页 |
| 3.2.2 溅射法、真空蒸发和阳极氧化方法 | 第57-58页 |
| 3.2.3 热氧化法 | 第58-61页 |
| 3.3 硅基光栅结构的表面改性 | 第61-66页 |
| 3.4 硅基结构的填充 | 第66-75页 |
| 3.4.1 填充装置介绍及操作 | 第66-67页 |
| 3.4.2 源光栅的填充 | 第67-71页 |
| 3.4.3 分析光栅的填充 | 第71-75页 |
| 3.5 本章小结 | 第75-76页 |
| 第四章 相位光栅与具有分析光栅功能的 X 射线转换屏改进 | 第76-99页 |
| 4.1 相位光栅的改进 | 第76-80页 |
| 4.1.1 相位光栅的参数 | 第76-78页 |
| 4.1.2 硅基相位光栅的改进 | 第78-80页 |
| 4.2 结构化 X 射线转换屏的制作 | 第80-84页 |
| 4.3 填充方式与荧光材料分析 | 第84-91页 |
| 4.3.1 传统荧光材料填充 | 第85-86页 |
| 4.3.2 荧光材料其它填充方式探索 | 第86-90页 |
| 4.3.3 荧光材料 CsI(Tl)的分析 | 第90-91页 |
| 4.4 硅基深孔结构的化学抛光 | 第91-95页 |
| 4.4.1 硅基表面抛光技术 | 第91-93页 |
| 4.4.2 硅基光栅结构侧壁抛光 | 第93-95页 |
| 4.5 具有分析光栅功能的 X 射线转换屏结构改进 | 第95-97页 |
| 4.6 本章小结 | 第97-99页 |
| 第五章 基于光栅的 X 射线微分干涉相衬成像实验 | 第99-105页 |
| 5.1 利用铋吸收光栅的成像实验 | 第99-104页 |
| 5.1.1 系统莫尔条纹 | 第99-101页 |
| 5.1.2 系统成像 | 第101-104页 |
| 5.2 本章小结 | 第104-105页 |
| 总结与展望 | 第105-109页 |
| 参考文献 | 第109-118页 |
| 发表论文和参与科研情况说明 | 第118-119页 |
| 致谢 | 第119页 |
