| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 RFID 技术研究背景 | 第8-10页 |
| 1.1.1 RFID 技术的发展现状与前景 | 第8-9页 |
| 1.1.2 RFID 的原理与系统结构 | 第9-10页 |
| 1.1.3 RFID 系统的工作频率 | 第10页 |
| 1.2 低噪声放大器设计考虑 | 第10-11页 |
| 1.3 论文结构安排 | 第11-13页 |
| 第二章 集成器件与基本电路结构 | 第13-31页 |
| 2.1 MOS 器件的小信号模型 | 第13页 |
| 2.2 集成电感元件 | 第13-14页 |
| 2.3 集成电阻与电容 | 第14-17页 |
| 2.4 基本单级放大电路 | 第17-23页 |
| 2.5 源简并结构与共源共栅结构 | 第23-26页 |
| 2.6 基本差分放大器 | 第26-28页 |
| 2.7 电流镜 | 第28-31页 |
| 第三章 CMOS 集成电路噪声分析 | 第31-39页 |
| 3.1 CMOS 集成器件噪声分析 | 第33-35页 |
| 3.1.1 电阻热噪声 | 第33-34页 |
| 3.1.2 MOS 管沟道电流热噪声 | 第34-35页 |
| 3.1.3 MOS 器件闪烁噪声 | 第35页 |
| 3.2 两端口网络的噪声分析法 | 第35-38页 |
| 3.3 多级级联网络噪声分析 | 第38-39页 |
| 第四章 射频电路基本分析方法与基本问题 | 第39-44页 |
| 4.1 双端口网络的 S 参数 | 第39-40页 |
| 4.2 功率增益和电压增益 | 第40-41页 |
| 4.3 灵敏度和噪声系数 | 第41-42页 |
| 4.4 线性度和动态范围 | 第42-44页 |
| 第五章 CMOS LNA 的常用电路结构 | 第44-49页 |
| 5.1 输入端并联电阻的共源放大器 | 第44-45页 |
| 5.2 共栅放大器结构 | 第45-46页 |
| 5.3 并联-串联反馈放大器结构 | 第46-48页 |
| 5.4 源简并电感型共源放大器 | 第48-49页 |
| 第六章 本文设计的 CMOS 低噪声放大器 | 第49-68页 |
| 6.1 LNA 电路原理图设计 | 第49-57页 |
| 6.1.1 输入阻抗匹配 | 第51-52页 |
| 6.1.2 负载网络设计 | 第52-55页 |
| 6.1.3 有效跨导与增益 | 第55-56页 |
| 6.1.4 噪声因子及其优化 | 第56页 |
| 6.1.5 线性度分析 | 第56-57页 |
| 6.2 LNA 版图设计 | 第57-63页 |
| 6.2.1 版图的匹配设计技术 | 第58-60页 |
| 6.2.2 寄生优化设计 | 第60-61页 |
| 6.2.3 可靠性设计 | 第61-63页 |
| 6.3 LNA 的仿真与结果 | 第63-68页 |
| 6.3.1 S 参数分析（SP） | 第63-66页 |
| 6.3.2 周期稳态扫描分析（PSS Swept） | 第66页 |
| 6.3.3 三阶交调点仿真 | 第66-68页 |
| 第七章 总结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |