前言 | 第4-5页 |
摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-19页 |
1.1 问题的提出背景及研究意义 | 第14-15页 |
1.2 国内外行业及研究现状 | 第15-16页 |
1.3 本文主要工作内容 | 第16-17页 |
1.4 本文内容安排 | 第17-19页 |
第二章 太阳能光伏理论基础及工艺技术 | 第19-35页 |
2.1 半导体物理的基础理论介绍 | 第19-21页 |
2.2 固体能带的概念 | 第21-22页 |
2.3 PN 结的形成机理和特性 | 第22-24页 |
2.4 光生伏打效应及其机理 | 第24-28页 |
2.4.1 光生伏打效应及光伏电池原理 | 第24-25页 |
2.4.2 太阳能光伏电池的等效电路介绍 | 第25-26页 |
2.4.3 光伏电池的等效电路重要参数分析 | 第26-28页 |
2.5 太阳能光伏产品与行业知识 | 第28-33页 |
2.5.1 太阳能光伏电池结构及工艺技术 | 第28-29页 |
2.5.2 太阳能组件结构原理及工艺技术 | 第29-33页 |
2.6 太阳能光伏产品的功率衰减 | 第33-35页 |
第三章 PID 的失效模式的特征及其危害 | 第35-41页 |
3.1 PID 的定义及机理介绍 | 第35-37页 |
3.2 PID 的失效的主要特征 | 第37-39页 |
3.3 PID 三种衰减模式 | 第39-41页 |
3.3.1 衰减模式 1-半导体活性区受到影响,导致分层现象 | 第39页 |
3.3.2 衰减模式 2-半导体结的性能衰减和分流现象 | 第39-40页 |
3.3.3 衰减模式 2-电离腐蚀和大量金属离子的迁移现象 | 第40-41页 |
第四章 PID 的失效机理分析 | 第41-46页 |
4.1 PID 失效原因分析--系统方面 | 第41-42页 |
4.2 PID 失效原因分析—组件方面 | 第42-43页 |
4.3 PID 失效原因分析—电池方面 | 第43-46页 |
4.3.1 电池制造工艺 | 第43页 |
4.3.2 基底材料性能-硅片电阻率 | 第43-44页 |
4.3.3 发射极方块电阻 | 第44-45页 |
4.3.4 减反射层的性能 | 第45-46页 |
第五章 光伏产品 PID 失效的实验模拟与验证测试 | 第46-56页 |
5.1 PID 失效的实验模拟基准与验证测试步骤 | 第46-48页 |
5.2 双 85(85℃,85%RH) 20H 的条件下 PID 模拟实验 | 第48-50页 |
5.3 双 65(65℃,65%RH) 20H、40H 条件下的 PID 模拟实验 | 第50-52页 |
5.4 室温,潮湿条件下的 PID 模拟实验 | 第52-53页 |
5.5 单片太阳能电池片 PID 失效的实验模拟与验证 | 第53页 |
5.6 PID 可恢复性模拟实验 | 第53-56页 |
第六章 PID 预防探究及工厂可行性解决方案的应用 | 第56-61页 |
6.1 Anti-PID 光伏电池工艺技术的革-PECVD 工序 | 第56-57页 |
6.2 光伏组件的封装材料的优化-Anti-PID EVA/低钠玻璃 | 第57-59页 |
6.3 光伏系统电站的安装工程优化-电气连接方式革新 | 第59-61页 |
6.3.1 光伏系统接地方式的革新 | 第59-60页 |
6.3.2 光伏系统在非运行期间增加反向电压的恢复操作 | 第60-61页 |
第七章 总结与展望 | 第61-63页 |
参考文献 | 第63-64页 |
作者简介及科研成果 | 第64-65页 |
致谢 | 第65页 |