| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 薄膜晶体管的基本概念及理论 | 第9-15页 |
| 1.1.1 薄膜晶体管的典型结构 | 第9-10页 |
| 1.1.2 薄膜晶体管的工作原理 | 第10-12页 |
| 1.1.3 薄膜晶体管的电学性能分析 | 第12-13页 |
| 1.1.4 表征薄膜晶体管器件电学性能的主要参数 | 第13-15页 |
| 1.2 薄膜晶体管的发展历史 | 第15-21页 |
| 1.3 本课题研究的背景、意义和内容 | 第21-23页 |
| 1.3.1 研究背景和意义 | 第21-22页 |
| 1.3.2 本文研究的内容 | 第22-23页 |
| 第2章 薄膜晶体管的制备方法与测试技术 | 第23-29页 |
| 2.1 等离子增强化学气相沉积 | 第23-24页 |
| 2.2 磁控溅射 | 第24-26页 |
| 2.3 薄膜晶体管的分析测试技术 | 第26-29页 |
| 第3章 SiO_2薄膜的双电层效应及其低压TFT应用 | 第29-39页 |
| 3.1 引言 | 第29-31页 |
| 3.2 SiO_2栅介质薄膜的制备及其性能分析 | 第31-35页 |
| 3.2.1 SiO_2栅介质的薄膜沉积及测试样品的制备 | 第31-32页 |
| 3.2.2 SiO_2栅介质的薄膜结构表征及电学性能分析 | 第32-34页 |
| 3.2.3 SiO_2栅介质的电学性能表征以及质子迁移双电层理论 | 第34-35页 |
| 3.3 以双电层SiO_2为栅介质的ITO低电压TFTs | 第35-38页 |
| 3.3.1 ITO低电压TFTs的结构设计 | 第35页 |
| 3.3.2 ITO低电压TFTs的器件制备工艺 | 第35-37页 |
| 3.3.3 ITO低电压TFTs的器件测试结果与讨论 | 第37-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第4章 ITO无结全透明低电压TFTs的制作与测试 | 第39-48页 |
| 4.1 引言 | 第39-41页 |
| 4.2 ITO无结全透明低电压TFTs的结构设计 | 第41-42页 |
| 4.3 ITO无结全透明低电压TFTs的制备流程 | 第42-44页 |
| 4.3.1 清洗玻璃衬底 | 第42页 |
| 4.3.2 PECVD沉积SiO_2栅介质 | 第42-43页 |
| 4.3.3 射频磁控溅射ITO | 第43-44页 |
| 4.4 ITO无结全透明低电压TFTs的性能测试结果及相关讨论 | 第44-47页 |
| 4.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 结论 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-57页 |
| 附录A（攻读学位期间所发表的学术论文目录） | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
