| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第13-22页 |
| 1.1 课题研究背景和意义 | 第13-15页 |
| 1.2 微波组件中关键微波器件应用与发展 | 第15-17页 |
| 1.3 GaInP/GaAs HBT器件、GaN HEMT器件的发展以及热可靠性的研究进展 | 第17-20页 |
| 1.3.1 GaInP/GaAs HBT器件 | 第17-18页 |
| 1.3.2 GaN基HEMT器件 | 第18-20页 |
| 1.4 主要研究内容 | 第20-22页 |
| 第二章 热物理基础理论与热性能数值模拟方法 | 第22-34页 |
| 2.1 热分析方法 | 第22-23页 |
| 2.2 传热学理论 | 第23-25页 |
| 2.2.1 热量传递的基本方式 | 第24-25页 |
| 2.3 热传导的微分方程 | 第25-28页 |
| 2.4 基于有限元方法的数值模拟理论 | 第28-33页 |
| 2.4.1 有限元方法 | 第28页 |
| 2.4.2 求解温度场的有限元方法 | 第28-30页 |
| 2.4.3 ANSYS WorkBench有限元软件介绍 | 第30-31页 |
| 2.4.4 ANSYS Workbench与Pro/E的协同仿真环境 | 第31-33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 针对InGaP/GaAs HBT MMIC峰值结温的建模仿真方法 | 第34-48页 |
| 3.1 HBT的结构工作原理 | 第34-36页 |
| 3.2 HBT自热效应及其影响 | 第36-37页 |
| 3.3 热生成机制及热生成区域的确定 | 第37-39页 |
| 3.3.1 焦耳热生成 | 第37-38页 |
| 3.3.2 复合热生成 | 第38页 |
| 3.3.3 汤姆逊效应热生成 | 第38-39页 |
| 3.3.4 玻尔帖效应热生成 | 第39页 |
| 3.4 峰值结温及温度场分布有限元仿真 | 第39-44页 |
| 3.4.1 InGaP/GaAs HBT MMIC的建模 | 第39-41页 |
| 3.4.2 3-D模型的网络划分 | 第41-42页 |
| 3.4.3 针对峰值结温的有限元仿真 | 第42-44页 |
| 3.5 红外热像测试试验 | 第44-46页 |
| 3.5.1 红外热像测试原理 | 第44-45页 |
| 3.5.2 测试结果与仿真模拟结果的对比分析 | 第45-46页 |
| 3.6 本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMTs的热生成机制及热仿真 | 第48-61页 |
| 4.1 GaN的材料特性 | 第48-49页 |
| 4.2 GaN HEMT的结构及工作原理 | 第49-50页 |
| 4.2.1 器件结构及特性 | 第49页 |
| 4.2.2 HEMT的工作原理 | 第49-50页 |
| 4.3 AlGaN/GaN异质结的极化效应 | 第50-53页 |
| 4.4 AlGaN/GaN HEMT热生成机制 | 第53-55页 |
| 4.5 GaN HEMT的热仿真 | 第55-60页 |
| 4.5.1 自热效应 | 第55-56页 |
| 4.5.2 Sivaco TCAD软件介绍 | 第56页 |
| 4.5.3 自热效应仿真的物理模型 | 第56-57页 |
| 4.5.4 AlGaN/GaN HEMTs器件的建模与仿真 | 第57-60页 |
| 4.6 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 微波组件的可靠性分析 | 第61-71页 |
| 5.1 可靠性预计理论 | 第61-62页 |
| 5.2 微波组件的可靠性分析 | 第62-70页 |
| 5.2.1 微波组件的有限元热仿真 | 第62-65页 |
| 5.2.2 GaAs MMIC的工作失效率计算 | 第65-70页 |
| 5.3 本章小结 | 第70-71页 |
| 总结 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-78页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 附录 | 第81-83页 |
