| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 1 绪论 | 第12-29页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 磁随机存储器与磁隧道结概述 | 第13-22页 |
| 1.3 自旋极化层材料概述及其基本特性 | 第22-27页 |
| 1.4 本文的研究内容及结构安排 | 第27-29页 |
| 2 极薄金属插层CoFeB薄膜的制备与第一性原理计算 | 第29-52页 |
| 2.1 引言 | 第29页 |
| 2.2 一层CoFeB薄膜与极薄金属插层CoFeB薄膜的制备 | 第29-36页 |
| 2.3 一层CoFeB薄膜与极薄金属插层CoFeB薄膜的垂直各向异性 | 第36-44页 |
| 2.4 一层CoFeB薄膜与极薄金属插层CoFeB薄膜的第一性原理计算 | 第44-50页 |
| 2.5 本章小结 | 第50-52页 |
| 3 极薄金属插层半金属Co_2FeAl的磁性和自旋特性研究 | 第52-74页 |
| 3.1 引言 | 第52页 |
| 3.2 极薄金属插层Co_2FeAl薄膜的第一性原理计算 | 第52-56页 |
| 3.3 一层Co_2FeAl薄膜的制备 | 第56-59页 |
| 3.4 金属Pt插层的Co_2FeAl薄膜的垂直磁各向异性 | 第59-69页 |
| 3.5 金属Pt插层的Co_2FeAl薄膜的自旋特性研究 | 第69-71页 |
| 3.6 本章小结 | 第71-74页 |
| 4 硫系元素及GeTe掺杂对Co_2FeAl半金属特性的稳定性的影响 | 第74-90页 |
| 4.1 引言 | 第74页 |
| 4.2 Co_2FeAl电子结构计算 | 第74-78页 |
| 4.3 硫系元素掺杂的半金属Co_2FeAl的电子结构与自旋特性分析 | 第78-86页 |
| 4.4 GeTe掺杂的半金属Co_2FeAl的电子结构与自旋特性分析 | 第86-88页 |
| 4.5 本章小结 | 第88-90页 |
| 5 全文总结 | 第90-94页 |
| 5.1 研究内容总结 | 第90-92页 |
| 5.2 本文的创新点 | 第92-93页 |
| 5.3 对进一步研究的展望 | 第93-94页 |
| 致谢 | 第94-96页 |
| 参考文献 | 第96-108页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表的论文目录 | 第108-109页 |
| 附录2 攻读博士学位期间申请的发明专利 | 第109页 |
