| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 碳化硅二极管的发展 | 第11-13页 |
| 1.2 异质结技术的发展 | 第13-14页 |
| 1.3 Si/SiC异质结器件研究现状 | 第14-15页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第15-17页 |
| 第2章 4H-SiC二极管工作原理分析 | 第17-31页 |
| 2.1 PiN二极管 | 第17-19页 |
| 2.1.1 正向导通 | 第17-19页 |
| 2.1.2 反向阻断 | 第19页 |
| 2.2 肖特基二极管 | 第19-22页 |
| 2.2.1 正向导通 | 第21页 |
| 2.2.2 反向阻断 | 第21-22页 |
| 2.3 4H-SiC JBS/MPS二极管 | 第22-24页 |
| 2.3.1 4H-SiC结势垒肖特基二极管（JBS） | 第22-23页 |
| 2.3.2 4H-SiC混合PiN和肖特基二极管（MPS） | 第23-24页 |
| 2.4 多晶硅/4H-SiC异质结二极管 | 第24-29页 |
| 2.4.1 p多晶硅/N 4H-SiC异型异质结能带图 | 第25-26页 |
| 2.4.2 n多晶硅/N 4H-SiC同型异质结能带图 | 第26-28页 |
| 2.4.3 多晶硅/4H-SiC异质结二极管工作原理 | 第28-29页 |
| 2.5 反向恢复特性 | 第29-30页 |
| 2.6 本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 双多晶硅/4H-SiC异质结沟槽二极管 | 第31-45页 |
| 3.1 DHT二极管结构与工作原理 | 第31-33页 |
| 3.2 DHT二极管结构参数分析 | 第33-35页 |
| 3.3 界面电荷对DHT二极管的影响 | 第35-36页 |
| 3.4 温度对DHT二极管的影响 | 第36-41页 |
| 3.4.1 与温度有关的仿真模型 | 第36-39页 |
| 3.4.2 温度对DHT二极管正向特性的影响 | 第39-40页 |
| 3.4.3 温度对DHT二极管反向特性的影响 | 第40-41页 |
| 3.5 DHT二极管静态特性分析 | 第41-44页 |
| 3.5.1 反向阻断特性 | 第41-43页 |
| 3.5.2 正向导通特性 | 第43-44页 |
| 3.6 本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 结势垒肖特基和异质结二极管 | 第45-56页 |
| 4.1 JBSH二极管结构与工作原理 | 第45-46页 |
| 4.2 JBSH二极管器件结构优化 | 第46-51页 |
| 4.2.1 p+多晶硅区的深度对器件特性的影响 | 第46-47页 |
| 4.2.2 p+多晶硅区的掺杂浓度对器件特性的影响 | 第47-49页 |
| 4.2.3 p+多晶硅区的宽度对器件特性的影响 | 第49-50页 |
| 4.2.4 漂移区掺杂浓度对器件特性的影响 | 第50-51页 |
| 4.3 JBSH二极管静态特性分析 | 第51-54页 |
| 4.3.1 正向导通特性 | 第51-53页 |
| 4.3.2 反向阻断特性 | 第53-54页 |
| 4.4 JBSH二极管反向恢复特性 | 第54-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 第5章 混合PiN和多晶硅/4H-SiC异质结二极管 | 第56-68页 |
| 5.1 MPH二极管结构与工作原理 | 第56-57页 |
| 5.2 MPH二极管静态特性分析 | 第57-59页 |
| 5.2.1 正向导通特性 | 第57-59页 |
| 5.2.2 反向阻断特性 | 第59页 |
| 5.3 MPH二极管反向恢复特性分析 | 第59-60页 |
| 5.4 MPH二极管功率损耗分析 | 第60-66页 |
| 5.4.1 功率损耗的计算方法 | 第60-61页 |
| 5.4.2 温度对功率损耗的影响 | 第61-65页 |
| 5.4.3 器件结构参数对功率损耗的影响 | 第65-66页 |
| 5.5 本章小结 | 第66-68页 |
| 结论 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-76页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
