位错与界面相互作用机制的相场方法研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第17-35页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第17-26页 |
| 1.1.1 晶体材料强度的尺寸效应 | 第17-20页 |
| 1.1.2 界面滑移的增强机理 | 第20-24页 |
| 1.1.3 晶界位错网络的增强机理 | 第24-26页 |
| 1.2 研究方法 | 第26-32页 |
| 1.3 研究内容 | 第32-35页 |
| 第二章 位错与滑移界面之间的相互作用 | 第35-61页 |
| 2.1 引言 | 第35-36页 |
| 2.2 位错穿越界面过程中的界面剪切和位错核变化 | 第36-49页 |
| 2.2.1 计算模型描述 | 第37-40页 |
| 2.2.2 模拟结果与讨论 | 第40-48页 |
| 2.2.3 模拟结论 | 第48-49页 |
| 2.3 金属镍中的位错穿越共格滑移界面 | 第49-60页 |
| 2.3.1 计算模型 | 第49-53页 |
| 2.3.2 模拟结果与讨论 | 第53-60页 |
| 2.3.3 模拟结论 | 第60页 |
| 2.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第三章 扩展位错穿越滑移界面的模态 | 第61-75页 |
| 3.1 引言 | 第61页 |
| 3.2 层错能参数对位错构型的影响 | 第61-67页 |
| 3.3 金属铜中位错穿越共格滑移界面 | 第67-69页 |
| 3.4 层错能和界面强度对穿越过程的影响 | 第69-73页 |
| 3.4.1 相场模拟结果 | 第70-71页 |
| 3.4.2 简单的标度分析 | 第71-72页 |
| 3.4.3 穿越模态的相图 | 第72-73页 |
| 3.4.4 结果讨论 | 第73页 |
| 3.5 本章小结 | 第73-75页 |
| 第四章 改进的位错相场模型：相交滑移面上位错反应 | 第75-93页 |
| 4.1 引言 | 第75-76页 |
| 4.2 模型描述 | 第76-83页 |
| 4.2.1 原始的晶体能公式 | 第76-78页 |
| 4.2.2 改进的旧晶体能公式 | 第78-80页 |
| 4.2.3 改进的新晶体能公式 | 第80-83页 |
| 4.3 改进后位错相场模型的应用 | 第83-89页 |
| 4.3.1 共线位错结的形成 | 第84-87页 |
| 4.3.2 共线林位错阻碍作用 | 第87-89页 |
| 4.4 改进位错相场模型的讨论 | 第89-92页 |
| 4.5 本章小结 | 第92-93页 |
| 第五章 位错与扭转晶界的相互作用 | 第93-113页 |
| 5.1 引言 | 第93-94页 |
| 5.2 小角度扭转晶界的位错网络结构 | 第94-98页 |
| 5.2.1 扭转角的影响 | 第95-96页 |
| 5.2.2 层错能参数的影响 | 第96-98页 |
| 5.2.3 模拟结论 | 第98页 |
| 5.3 螺位错穿越小角度扭转晶界 | 第98-111页 |
| 5.3.1 模型介绍 | 第99-100页 |
| 5.3.2 模拟结果及讨论 | 第100-110页 |
| 5.3.3 模拟结论 | 第110-111页 |
| 5.4 本章小结 | 第111-113页 |
| 第六章 总结与展望 | 第113-117页 |
| 6.1 结论和创新点 | 第113-115页 |
| 6.2 工作展望 | 第115-117页 |
| 参考文献 | 第117-131页 |
| 致谢 | 第131-133页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第133页 |
