多晶硅厚膜的制备及性质分析
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 能源与环境 | 第10-11页 |
| 1.1.1 能源与环境问题 | 第10页 |
| 1.1.2 可再生能源的发展 | 第10-11页 |
| 1.2 太阳能利用的主要方式 | 第11-18页 |
| 1.2.1 光热利用 | 第12-13页 |
| 1.2.2 光化学转化 | 第13-15页 |
| 1.2.3 光伏发电 | 第15-18页 |
| 1.3 太阳能电池 | 第18-25页 |
| 1.3.1 太阳能电池分类 | 第18-22页 |
| 1.3.2 多晶硅太阳能电池 | 第22-23页 |
| 1.3.3 多晶硅厚膜 | 第23-25页 |
| 1.4 本论文的研究内容及安排 | 第25-26页 |
| 第2章 多晶硅的制备系统与表征技术 | 第26-34页 |
| 2.1 制备系统 | 第26-29页 |
| 2.1.1 磁控溅射技术 | 第26-27页 |
| 2.1.2 快速热退火(RTA)系统 | 第27-28页 |
| 2.1.3 CVD系统 | 第28-29页 |
| 2.2 表征技术 | 第29-33页 |
| 2.2.1 X射线衍射 | 第29-30页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜 | 第30-31页 |
| 2.2.3 拉曼光谱分析 | 第31-32页 |
| 2.2.4 微波反射光电导衰减谱 | 第32-33页 |
| 2.3 本章小结 | 第33-34页 |
| 第3章 石墨衬底上多晶硅薄膜籽晶层的制备 | 第34-42页 |
| 3.1 石墨衬底的选择 | 第34-35页 |
| 3.2 制备工艺 | 第35-36页 |
| 3.2.1 磁控溅射制备过程 | 第35页 |
| 3.2.2 快速热退火晶化过程 | 第35-36页 |
| 3.3 沉积多晶硅籽晶层最佳条件的探索 | 第36-40页 |
| 3.3.1 溅射时间的选择 | 第36-37页 |
| 3.3.2 溅射温度的选择 | 第37-38页 |
| 3.3.3 退火温度的选择 | 第38-39页 |
| 3.3.4 退火时间的选择 | 第39-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第4章 籽晶层上多晶硅厚膜的制备及分析 | 第42-52页 |
| 4.1 CVD制备工艺 | 第42-43页 |
| 4.2 多晶硅厚膜的表征和分析 | 第43-47页 |
| 4.2.1 多晶硅厚膜SEM分析 | 第43-45页 |
| 4.2.2 多晶硅厚膜XRD分析 | 第45-46页 |
| 4.2.3 μ-PCD谱测试表征 | 第46-47页 |
| 4.3 择优取向和结晶度的理论分析 | 第47-50页 |
| 4.3.1 谢乐公式分析 | 第47-48页 |
| 4.3.2 能量最低原理 | 第48-50页 |
| 4.3.3 成核理论 | 第50页 |
| 4.4 失配度和应力分析 | 第50-51页 |
| 4.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第5章 结论与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 论文总结 | 第52页 |
| 5.2 展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
