| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第13-27页 |
| 1.1 引言 | 第13页 |
| 1.2 TFT简介 | 第13-15页 |
| 1.3 显示驱动技术 | 第15-18页 |
| 1.3.1 无源矩阵驱动简介 | 第16-17页 |
| 1.3.2 有源矩阵驱动简介 | 第17-18页 |
| 1.4 应用于有源矩阵发光显示的薄膜晶体管 | 第18-22页 |
| 1.4.1 非晶硅薄膜晶体管 | 第18-19页 |
| 1.4.2 多晶硅薄膜晶体管 | 第19-20页 |
| 1.4.3 有机薄膜晶体管 | 第20页 |
| 1.4.4 金属氧化物晶体管 | 第20-22页 |
| 1.5 氧化物薄膜晶体管的研究进展 | 第22-25页 |
| 1.5.1 氧化物薄膜晶体管在平板显示中的应用 | 第22-23页 |
| 1.5.2 氧化物薄膜晶体管在透明显示中的应用 | 第23-24页 |
| 1.5.3 氧化物薄膜晶体管在柔性显示中的应用 | 第24-25页 |
| 1.6 本论文的研究目的和工作内容 | 第25-27页 |
| 第二章 金属氧化物薄膜晶体管的基本特征 | 第27-51页 |
| 2.1 氧化物薄膜晶体管的基本原理 | 第27-30页 |
| 2.1.1 氧化物薄膜晶体管的器件结构 | 第27-29页 |
| 2.1.2 氧化物薄膜晶体管的工作原理 | 第29-30页 |
| 2.2 氧化物材料的基本特性 | 第30-35页 |
| 2.2.1 氧化物材料即使非晶态却具有高迁移率的根源 | 第30-33页 |
| 2.2.2 氧化物的带隙间态密度 | 第33-34页 |
| 2.2.3 载流子传输模型 | 第34-35页 |
| 2.3 氧化物半导体材料 | 第35-40页 |
| 2.3.1 二元氧化物半导体材料 | 第36-37页 |
| 2.3.2 三元氧化物半导体材料 | 第37-38页 |
| 2.3.3 四元氧化物半导体材料 | 第38-40页 |
| 2.4 薄膜晶体管的特征参数 | 第40-43页 |
| 2.4.1 迁移率 | 第41-42页 |
| 2.4.2 阈值电压 | 第42页 |
| 2.4.3 开启电压 | 第42-43页 |
| 2.4.4 电流开关比 | 第43页 |
| 2.4.5 亚阈值摆幅 | 第43页 |
| 2.5 氧化物TFT的稳定性 | 第43-48页 |
| 2.5.1 偏压稳定性 | 第44-45页 |
| 2.5.2 光照偏压稳定性 | 第45-47页 |
| 2.5.3 环境稳定性 | 第47-48页 |
| 2.6 氧化物薄膜晶体管的制备方法 | 第48-50页 |
| 2.6.1 真空法制备 | 第49页 |
| 2.6.2 溶液法制备 | 第49-50页 |
| 2.7 本章小结 | 第50-51页 |
| 第三章 高迁移率InNdO氧化物半导体材料及其TFT研究 | 第51-68页 |
| 3.1 引言 | 第51-53页 |
| 3.2 器件制备 | 第53-55页 |
| 3.3 器件性能 | 第55-67页 |
| 3.3.1 氧化物薄膜的透射电子显微镜分析 | 第55-56页 |
| 3.3.2 有机钝化层对器件电学性能的影响 | 第56-58页 |
| 3.3.3 退火温度对器件性能的影响 | 第58-59页 |
| 3.3.4 不同退火温度对InNdO-15 氧化物薄膜结晶性能的影响 | 第59-60页 |
| 3.3.5 不同退火温度对InNdO-15 TFT器件稳定性的影响 | 第60-61页 |
| 3.3.6 不同Nd掺杂含量对InNdO氧化物薄膜结晶性能的影响 | 第61-62页 |
| 3.3.7 不同Nd掺杂含量对InNdO氧化物薄膜光学禁带宽度的影响 | 第62-63页 |
| 3.3.8 不同Nd掺杂含量对InNdO TFT器件电学性能的影响 | 第63-64页 |
| 3.3.9 不同Nd掺杂含量对InNdO TFT器件偏压稳定性的影响 | 第64-67页 |
| 3.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 第四章 高迁移率高稳定性InLaO氧化物半导体材料及其TFT研究 | 第68-79页 |
| 4.1 引言 | 第68-69页 |
| 4.2 InLaO-TFT器件的制备 | 第69-70页 |
| 4.3 InLaO TFT器件性能 | 第70-73页 |
| 4.3.1 有源层厚度对InLaO-5 器件电学性能的影响 | 第70-71页 |
| 4.3.2 不同La掺杂浓度对InLaO TFT器件电学性能的影响 | 第71-72页 |
| 4.3.3 InLaO-2 TFT器件的偏压稳定性测试 | 第72-73页 |
| 4.4 InLaO与InNdO氧化物半导体材料的比较 | 第73-78页 |
| 4.4.1 InLaO与InNdO氧化物薄膜XPS测试分析 | 第73-75页 |
| 4.4.2 InLaO-5 TFT与InNdO-5 TFT器件电学性能的比较 | 第75-77页 |
| 4.4.3 InLaO-5 TFT与InNdO-5 TFT器件偏压稳定性的比较 | 第77-78页 |
| 4.5 本章小结 | 第78-79页 |
| 第五章 氧化锡基薄膜晶体管的制备与研究 | 第79-104页 |
| 5.1 引言 | 第79-80页 |
| 5.2 SnSiO TFT器件性能 | 第80-88页 |
| 5.2.1 SnSiO器件制备 | 第80-81页 |
| 5.2.2 SnSiO氧化物薄膜抗酸刻蚀性验证 | 第81-82页 |
| 5.2.3 有源层厚度对SnSiO TFT器件电学性能的影响 | 第82-83页 |
| 5.2.4 有源层制备过程中氧分压对STO器件性能的影响 | 第83-85页 |
| 5.2.5 有源层制备过程中衬底制备温度对SnSiO器件性能的影响 | 第85-86页 |
| 5.2.6 不同Si掺杂含量对SnSiO器件电学性能的影响 | 第86-88页 |
| 5.3 SnZrO TFT器件性能 | 第88-97页 |
| 5.3.1 SnZrO器件制备 | 第88-90页 |
| 5.3.2 有源层制备过程中制备氛围对SnZrO器件性能的影响 | 第90-92页 |
| 5.3.3 氧掺杂和氮掺杂对SnZrO TFT器件稳定性的影响 | 第92页 |
| 5.3.4 不同Zr掺杂含量对SnZrO薄膜的影响 | 第92-94页 |
| 5.3.5 不同Zr掺杂含量对SnZrO TFT器件电学性能的影响 | 第94-97页 |
| 5.4 InSn BaO TFT器件性能 | 第97-103页 |
| 5.4.1 InSnBaO器件制备 | 第97-99页 |
| 5.4.2 InSn Ba_2O_6 TFT器件在不同退火温度下电学性能 | 第99-100页 |
| 5.4.3 Sn_3In_2BaO_9 TFT器件在不同退火温度下电学性能 | 第100-101页 |
| 5.4.4 Sn_3In_2BaO_9 TFT器件有源层在不同衬底温度制备的电学性能 | 第101-102页 |
| 5.4.5 Sn_3In_2BaO_9 TFT器件的稳定性测试 | 第102页 |
| 5.4.6 Sn_3In_2BaO_9 TFT器件背沟道刻蚀型结构的制备 | 第102-103页 |
| 5.5 本章小结 | 第103-104页 |
| 第六章 溶液法制备高迁移率InNdO氧化物半导体材料及其TFT研究 | 第104-121页 |
| 6.1 引言 | 第104-108页 |
| 6.2 器件制备 | 第108-109页 |
| 6.3 溶液法制备InNdO TFT器件性能 | 第109-119页 |
| 6.3.1 有源层图案化过程中UV照射时间的影响 | 第109-111页 |
| 6.3.2 前驱体溶液浓度对器件性能的影响 | 第111页 |
| 6.3.3 旋涂时转速对器件性能的影响 | 第111-112页 |
| 6.3.4 长时间后退火处理对器件性能的影响 | 第112-113页 |
| 6.3.5 多层有源层叠层对器件性能的影响 | 第113-114页 |
| 6.3.6 不同Nd掺杂含量对InNdO氧化物薄膜结晶性能的影响 | 第114-116页 |
| 6.3.7 不同Nd掺杂含量对InNdO氧化物薄膜晶体管电学性能的影响 | 第116-119页 |
| 6.4 本章小结 | 第119-121页 |
| 结论 | 第121-123页 |
| 参考文献 | 第123-140页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第140-144页 |
| 致谢 | 第144-145页 |
| 答辩委员会对论文的评定意见 | 第145页 |
