| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第14-32页 |
| 1.1 引言 | 第14页 |
| 1.2 几种典型的二维材料 | 第14-22页 |
| 1.2.1 石墨烯 | 第14-16页 |
| 1.2.2 氮化硼 | 第16-18页 |
| 1.2.3 过渡金属硫化物 | 第18-20页 |
| 1.2.4 黑磷 | 第20页 |
| 1.2.5 几种二维材料的制备方法 | 第20-22页 |
| 1.3 吸波材料 | 第22-31页 |
| 1.3.1 近完美吸收器研究现状 | 第22-30页 |
| 1.3.2 近完美吸收器的应用前景 | 第30-31页 |
| 1.4 本文的主要研究工作与内容安排 | 第31-32页 |
| 第2章 基本理论和方法 | 第32-44页 |
| 2.1 引言 | 第32页 |
| 2.2 基本理论 | 第32-39页 |
| 2.2.1 阻抗匹配理论 | 第32-35页 |
| 2.2.2 磁激元共振理论 | 第35-36页 |
| 2.2.3 多层介质干涉理论 | 第36-37页 |
| 2.2.4 等效介质理论 | 第37-39页 |
| 2.3 基本方法 | 第39-43页 |
| 2.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第3章 基于氮化硼晶体的中红外吸收器 | 第44-60页 |
| 3.1 引言 | 第44-45页 |
| 3.2 临界耦合谐振器 | 第45-52页 |
| 3.2.1 氮化硼晶体的等效介电常数 | 第45-47页 |
| 3.2.2 全吸收的实现 | 第47-48页 |
| 3.2.3 临界耦合谐振器各个参数对结构吸收的影响 | 第48-51页 |
| 3.2.4 理论模型解释 | 第51-52页 |
| 3.3 基于氮化硼晶体的相干全吸收设计 | 第52-58页 |
| 3.3.1 相干全吸收条件的讨论 | 第52-54页 |
| 3.3.2 相干全吸收的实现 | 第54-58页 |
| 3.4 本章小结 | 第58-60页 |
| 第4章 基于石墨烯/氮化硼超晶的可调中红外吸收器 | 第60-70页 |
| 4.1 引言 | 第60-61页 |
| 4.2 石墨烯/氮化硼超晶吸收器 | 第61-69页 |
| 4.2.1 石墨烯的等效介电常数 | 第61-62页 |
| 4.2.2 超晶的等效介质常数 | 第62-64页 |
| 4.2.3 全吸收条件的讨论 | 第64-65页 |
| 4.2.4 结果与讨论 | 第65-69页 |
| 4.3 本章小结 | 第69-70页 |
| 第5章 基于FP共振及表面声子极化的双波段吸收器 | 第70-79页 |
| 5.1 引言 | 第70页 |
| 5.2 氮化硼/介质/氮化硼中红外吸收器 | 第70-77页 |
| 5.2.1 理论分析 | 第71-72页 |
| 5.2.2 结果与讨论 | 第72-77页 |
| 5.3 本章小结 | 第77-79页 |
| 第6章 超薄和宽带完美吸收器 | 第79-89页 |
| 6.1 引言 | 第79页 |
| 6.2 超薄的完美吸收体设计 | 第79-82页 |
| 6.3 宽带的吸收体设计 | 第82-88页 |
| 6.4 本章小结 | 第88-89页 |
| 总结与展望 | 第89-91页 |
| 参考文献 | 第91-108页 |
| 致谢 | 第108-109页 |
| 附录A 攻读博士学位期间所发表的学术论文 | 第109-110页 |
| 附录B 攻读博士学位期间所参加的科研项目 | 第110页 |