| 摘要 | 第10-12页 |
| ABSTRACT | 第12-13页 |
| 符号表 | 第14-15页 |
| 第一章：绪论 | 第15-21页 |
| 1.1 光源的发展史 | 第15-16页 |
| 1.2 半导体材料的发展历史及现状 | 第16-18页 |
| 1.3 本文的研究内容与安排 | 第18-21页 |
| 第二章 生长工艺、设备及表征方法 | 第21-33页 |
| 2.1 化学气相沉积(CVD) | 第21-23页 |
| 2.1.1 CVD法的原理 | 第21页 |
| 2.1.2 CVD实验设备 | 第21-23页 |
| 2.2 磁控溅射系统 | 第23-24页 |
| 2.2.1 磁控溅射原理 | 第23页 |
| 2.2.2 磁控溅射实验设备 | 第23-24页 |
| 2.3 荧光测试系统 | 第24-31页 |
| 2.3.1 激发系统 | 第25-27页 |
| 2.3.2 分光系统 | 第27-28页 |
| 2.3.3 制冷系统 | 第28页 |
| 2.3.4 探测系统 | 第28-29页 |
| 2.3.5 光路搭建 | 第29-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 GaN的基本特性 | 第33-41页 |
| 3.1 GaN的生长和制备 | 第34-36页 |
| 3.2 GaN的物理、化学特性 | 第36-37页 |
| 3.3 GaN的光电特性 | 第37-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 GaN基LED内量子效率的研究 | 第41-49页 |
| 4.1 内量子效率的定义 | 第41页 |
| 4.2 内量子效率的测量方法 | 第41-42页 |
| 4.3 PL内量子效率的测量 | 第42-47页 |
| 4.3.1 PL内量子效率传统测量方法 | 第42页 |
| 4.3.2 样品的结构参数 | 第42-43页 |
| 4.3.3 实验过程 | 第43页 |
| 4.3.4 PL光谱的形状、峰位、半高宽以及发光效率的温度依赖性 | 第43-45页 |
| 4.3.5 PL光谱积分强度,PL发光效率的功率依赖性 | 第45-47页 |
| 4.3.6 PL内量子效率测量新方案 | 第47页 |
| 4.4 EL内量子效率的测定 | 第47-48页 |
| 4.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 ZnO的基本性质 | 第49-57页 |
| 5.1 ZnO的生长 | 第49页 |
| 5.2 ZnO的晶体结构 | 第49-50页 |
| 5.3 ZnO的物理化学性质 | 第50-52页 |
| 5.4 ZnO的光学特性 | 第52-55页 |
| 5.4.1 金属氧化物晶体的缺陷类型 | 第52-53页 |
| 5.4.2 ZnO中的缺陷发光 | 第53-55页 |
| 5.5 ZnO的电学特性 | 第55-56页 |
| 5.6 本章小结 | 第56-57页 |
| 第六章 ZnO纳米材料制备 | 第57-71页 |
| 6.1 CVD法生长ZnO | 第57-61页 |
| 6.1.1 ZnO纳米线阵列基本生长条件 | 第57-58页 |
| 6.1.2 衬底的清洗 | 第58页 |
| 6.1.3 ZnO纳米线阵列的生长过程 | 第58-59页 |
| 6.1.4 ZnO纳米线的形貌表征 | 第59-61页 |
| 6.2 种子层种类对ZnO阵列表面形貌的影响 | 第61-63页 |
| 6.2.1 醋酸锌溶液制备种子层 | 第61页 |
| 6.2.2 利用磁控溅射系统生长种子层 | 第61-62页 |
| 6.2.3 种子层生长方法对ZnO表面形貌的影响 | 第62-63页 |
| 6.3 反应源到衬底之间的距离对ZnO阵列表面形貌的影响 | 第63-65页 |
| 6.4 种子层厚度ZnO纳米线表面形貌的影响 | 第65-69页 |
| 6.5 本章小结 | 第69-71页 |
| 第七章 结论 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第81-82页 |
| 附录 | 第82-89页 |
| 学位论文评阅及答辩倩况表 | 第89页 |
