| 致谢 | 第3-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-27页 |
| 1.1 石墨烯的简介 | 第9-12页 |
| 1.1.1 石墨烯的发现 | 第9-10页 |
| 1.1.2 墨烯的结构 | 第10-11页 |
| 1.1.3 石墨烯的电学性能 | 第11-12页 |
| 1.1.4 墨烯的力学性能 | 第12页 |
| 1.2 石墨烯的制备 | 第12-15页 |
| 1.2.1 机械剥离法 | 第12-13页 |
| 1.2.2 化学剥离法 | 第13-14页 |
| 1.2.3 氧化还原法 | 第14-15页 |
| 1.2.4 化学气相沉积法 | 第15页 |
| 1.3 石墨烯的转移 | 第15-19页 |
| 1.3.1 溶液刻蚀法 | 第15-16页 |
| 1.3.2 PMMA辅助溶铜法 | 第16页 |
| 1.3.3 PMMA辅助鼓泡法 | 第16-17页 |
| 1.3.4 PDMS印章法 | 第17-18页 |
| 1.3.5 Roll-to-Roll转移法 | 第18-19页 |
| 1.4 石墨烯的表征 | 第19-24页 |
| 1.4.1 光学显微镜法 | 第19-21页 |
| 1.4.2 拉曼光谱法 | 第21-23页 |
| 1.4.3 扫描电子显微镜 | 第23页 |
| 1.4.4 透射电子显微镜 | 第23-24页 |
| 1.4.5 其他石墨烯的表征手段 | 第24页 |
| 1.5 石墨烯的应用 | 第24-27页 |
| 1.5.1 透明电极 | 第25-26页 |
| 1.5.2 金属氧化物半导体场效应晶体管 | 第26-27页 |
| 第二章 大面积石墨烯单晶的制备 | 第27-43页 |
| 2.1 CVD法及石墨烯生长机理 | 第27-30页 |
| 2.1.1 CVD法 | 第27页 |
| 2.1.2 石墨烯在Cu上的生长机理简介 | 第27-28页 |
| 2.1.3 氢气对石墨烯生长的影响 | 第28-30页 |
| 2.1.4 氧气辅助法CVD及其机理 | 第30页 |
| 2.2 实验设备与器材及工艺与参数 | 第30-35页 |
| 2.2.1 实验设备与器材 | 第30-31页 |
| 2.2.2 石墨烯生长的工艺与参数 | 第31-33页 |
| 2.2.3 石墨烯的转移 | 第33-35页 |
| 2.3 实验结果及讨论 | 第35-42页 |
| 2.3.1 初步表征 | 第35-38页 |
| 2.3.2 在氧气辅助CVD中氢气对单晶石墨烯生长的形貌影响 | 第38-39页 |
| 2.3.3 氢气对信封内外单晶石墨烯尺寸&生长速率的影响 | 第39-41页 |
| 2.3.4 成核密度研究 | 第41-42页 |
| 2.4 小结 | 第42-43页 |
| 第三章 石墨烯单晶第二层调控 | 第43-49页 |
| 3.1 石墨烯第二层生长简介 | 第43-44页 |
| 3.2 氧气辅助CVD法石墨烯多层区域生长机理探讨 | 第44-46页 |
| 3.3 氧气辅助CVD生长大面积单层石墨烯工艺探索 | 第46-47页 |
| 3.4 实验结果及讨论 | 第47-48页 |
| 3.5 小结 | 第48-49页 |
| 第四章 毫米晶畴多晶石墨烯的制备 | 第49-53页 |
| 4.1 生长毫米晶畴的多晶石墨烯的意义 | 第49页 |
| 4.2 实验工艺及参数探索 | 第49-51页 |
| 4.3 实验结果和讨论 | 第51-52页 |
| 4.4 小结 | 第52-53页 |
| 第五章 总结与展望 | 第53-54页 |
| 5.1 总结 | 第53页 |
| 5.2 展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
